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:
doi 103969/ jissn1003353x200905005
芯片上 膜侧蚀异常的改善
GaNLED ITO
,
1 2 2 2
林岳明,韩买兴,曾祥华
( 扬州华夏集成光电有限公司,江苏扬州 ;
1. 225009
扬州大学物理科学与技术学院,江苏扬州 )
2. 225002
: ( ) ,
摘要氧化铟锡 对可见光具有高透过率及高电导率常当作透明电极被广泛应用于
ITO
发光元件上。使用合金的热处理方式,探讨了 经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在
ITO
外延片上蒸镀一层 膜用, 的 锭做靶材然后把每个外延片,
GaN ITO w ∶w =095∶005 ITO
In O SnO
2 3 2
切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀
,去胶测量图中圆形(电极直径)的尺寸并比较侧蚀量的大小,发现合金后刻蚀 比不合
ITO ITO
金直接刻蚀 要好。
ITO
关键词:氧化铟锡侧蚀;电子束蒸镀;合金;热处理;刻蚀;外延片
中图分类号: ; 文献标识码 文章编号: : ( )
TN3642 TN3057 A 1003353X 2009 05041404
Improvement of ITO Thin Film Undercut on GaNLED Chips
,
1 2 2 2
, ,
Lin Yueming Han Maixing Zeng Xianghua
( , , , ;
1. Yang Zhou Hua Xia Integrated O/ E System Co. Ltd. Yangzhou 225009 China
, , , )
2. College of Physic Science and Technology Y
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