GaN外延结构中微区应变场的测量和评价 Measurement and Evaluation of Micro-Sized Strain Fields in GaN Epitaxial Structure.pdfVIP

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2017-08-04 发布于上海
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GaN外延结构中微区应变场的测量和评价 Measurement and Evaluation of Micro-Sized Strain Fields in GaN Epitaxial Structure.pdf

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No．1l 第11期电子学报 v01．36 2008年11月 ACTAEU￡cIRONICASINICA N0v．卸憾 GaN外延结构中微区应变场的测量和评价王俊忠1，吉元1，田彦宝1，牛南辉2，徐晨2，韩军2，郭霞2，沈光地2 (1．北京3-_业大学固体微结构与性能研究所。北京100124；2．北京工业大学光电子技术研究所，北京100124) 摘要：采用电子背散射衍射(EBSD)技术，测量CaN／蓝宝石结构中的弹性应变场．将EBSD菊池衍射花样的图像质量加值及小角度错配作为应力敏感参数，表征GaN．Buffer层一蓝宝石结构中的晶格畸变和转动，显示微区弹性应强度，识别GaN外延结构中的应变／无应变区域．关键词：电子背散射衍射(EBSD)；微区应力；GaN外延层中图分类号：TN454文献标识码： A 文章编号：0372-2112(200s)11-2139．05 MeasurementandEvaluationofMicro—SizedStrain FieldsinGaN Structure Epitaxial WANG Yuanl，TIANYah．ba01，NIUNan-hui2，XUChen2，HANJo，GUOXia2，SHEN Jun-zhongI，JI Guang-di2 (1．／nst／tute and of^位Ⅻ加瑚IMProperty矿^幽mo耐版忉讪，＆“垤100124．饧iⅪ； 2．唧衄妇如毗强炯咖yI．ahor,uory，蚍UniversityofTedmdogy，啪100124，China) elasticSIriBfieldina slyucturewasmeasuredviaelecarmbaekscatter 础)st份cI：The GaN／sapphire dif铂商on(EBSD)． andsmallmisorientationof Kikuchi asSlrdinsensitive toevaluatethedistor- EBSD parameters Imagequality patterns w哪applied tionandtheroglfion latticesin micro-sizedswain in· sa-ucua_|e．aswell丛to elastic field．The ofcrystal GaN—buffer-sapphire display strain about diffraction fluence oftheelastic in s眦nl陀is 200X?00am．The intensitiesofKikuehi region CraN／sapphire panen坞 w骶emmctedandtheswained／unstralnedinCraN thefastFourierwansfonn