193 nm浸液式光刻技术现状 Current Status and Future Prospect of 193 nm Immersion Lithography.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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193 nm浸液式光刻技术现状 Current Status and Future Prospect of 193 nm Immersion Lithography.pdf

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电子工业专用设备 Eguipment for Electronic Products Manufacturing 趋势与展望乳穗哇!壹惠义中国电子科技集团公司第四十五研究所北京东燕郊 ( , 10 160 1) ! ! 摘要概述了 193 nm 浸液式光刻技术发展现状及技术路线结合国际半导体技术发展指南 ! (ITRS)和各公司在 SPIE 微光刻研讨会上宣布的最新研究成果探讨了193 nm 浸液式光刻技术的发展趋势关键词浸液式光刻曝光设备折射率偏振技术双重曝光 ! ! ! ! ! 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! TN305.7 A 1004-4507 （2006）07-0006-01 Current Status and Future Prospect of 193 nm Immersion Lithography KONG De-sheng ， TONG Zhi-yi (The 45th Research Institute of CETC, beij ing East yanj iao Development Zone 06520 1, China) ! Abstract The current status and roadmap of 193nm immersion lithography is reviewed in this paper, The trends of 193nm immersion lithography has been approached with the roadmap of ITRS and the newest results of research announced in SPIE 2006 Optical Microlithography symposium . Keywords: Immersion lithography, Exposure Tool, Refractive Index, Polarization Technology, Dual Exposure 1 引言法有 1 为 0 .30 的大数值孔径 ArF 干法光刻和 1 为 0.35 的大数值孔径 ArF 浸液式光刻。前者的技 30 多年来，作为集成电路制造主流曝光技术术路线主要是基于对光学临近效应校正(OPC)和移的光学投影光刻技术，始终以摩尔定律的不断向前 PSM）的提高来缩小因子。后者要求更相掩模（