193nm浸没式光刻技术发展现状及今后难点.pdfVIP

EPE 电子工业专用设备 Equipment for Electronic Products Manufacturing 趋势与展望 193nm浸没式光刻技术发展现状及今后难点 本刊编辑部 2002年之后 浸没式技术迅速成为光刻技术 所确定的发展战略 2003~2005年研发45nm 中的新宠 因为此种技术的原理清晰及配合现有的 CMOS技术 2005~2007年研发32nm微电子技术 光刻技术变动不大 获得了人们的极大赞赏 193nm浸没式光刻技术是实现45nm以下COMS 在2003版的 国际半导体技术蓝图 中 增 的关键技术 在193nm浸没式光刻技术方面 加了一个可能解决方案 浸没式光刻 IMEC与世界上30个芯片制造商 设备供应商和软 Immersion lithography2004年12月 国 件供应商等组成了合作联盟 该联盟中IMEC的合 际半导体技术蓝图 编委会发行了 国际半导体 作伙伴ASML公司的TWINSCANtm XT1250i是 技术蓝图 修订版 其中光刻一章在可能解决方 目前世界上浸没式光刻(0.85)含量最高装置 IMEC 案表中又给出了一些显著的变化 把193 nm光刻 将使用该设备进行曝光 曝光线宽为70nm聚焦 干法光刻扩展到90 nm节点 并且撤消了离子投影 深度为0.7m 双方希望通过合作加速光刻技术从 光刻和近接X射线光刻 而在2005年的蓝图中 浸 干法向湿法的过渡 使其早日实现193nm浸没式光 没式光刻继续着其既有的发展态势 作为2007年达 刻技术的工业化应用 到65 nm2010年达到45 nm2013年达到32 nm 和2016年达到22 nm节点的关键技术 2 一代二代193nm浸没式光刻机 1 业界力推浸没式光刻技术 目前国际上光刻机的制造几乎处于垄断地位 最大的3家生产商为荷兰ASML美国Nikon Pre- 浸没式光刻是指在曝光镜头和硅片之间充满水 cision和日本Canon从2004年起 这几家公司就 或液体 对于193nm光刻来说 水是最佳液 提供193 nm浸没式光刻机样品供各大芯片制造商使 体 但浸没式光刻技术仍有很多不确定性 如对 用 至今 已开发出多种型号的193nm浸没式光 置于水中的硅片和光刻性能带来的影响 水吸附 刻机 特别是对于NA(数值孔径) 1.0的第二代浸 如何进行CD控制 模样外形控制等 没式光刻机 研究速度也相当迅速 在半导体工业中 人们预测193nm浸没式光 2004年美国半导体芯片制造技术研究与开发联 刻技术将取代157 nm光刻技术成为45nm以下半导 合体Sematech(Austin Texas)和ExitechOxford 体生产的新一代光刻技术 早在2003年5月 IntelUK宣布联合研发全球第一台超高NA193 nm浸没 宣布放弃157nm光刻机的开发 而将采用氟化氩激 式光刻机 2005年在Austin的Sematech安装 这 光器的193 nm光刻机的功能扩展至45nm节点 这 台浸没式光刻机的Ms-193i微型曝光部分由Corning 也正是浸没式光刻技术取得较好发展的结果 数值 Tropel完成 其NA 1.30.4 mm曝光范围 水 孔径为0.93的193 nm的镜头已经可以实现 紧随 浸没部分由Lambda physik完成 有4 kHz线性 Intel之后 欧洲的ASML日本的Nikon和Canon极化性能 ArF激光源也由Lambda physik完成 浸没式光刻机计划相继推出 该机可制作70 nm/45 nm节点 目前 比利时微电子研究中心 IMEC正在 ASML现也已推出