E2PROM工艺的ESD保护电路失效分析 Study of Failure in ESD Protection Circuit in E2PROMIC.pdfVIP

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2017-08-04 发布于上海
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E2PROM工艺的ESD保护电路失效分析 Study of Failure in ESD Protection Circuit in E2PROMIC.pdf

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第8卷，第12期电子与封装总第68期 V01．8．No．12 2008年12月眦CTRONICS＆PACKAGING ，一、，、，～，—、 i电!：j豁，。谢i鹕 E2PROM工艺的ESD保护电路失效分析易峰1，万颖2 (1．中电科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214035。2．华润上华科技股份有限公司，江苏无锡) 摘要：ESD保护电路已经成为集成电路不可或缺的组成部分，如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOSIC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位，结合版图分析以及微分析技术，如扫描电子显微镜SEM、微红外发光显示设备EMMI等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及机理。文章通过对一组击穿失效的E2PROM工艺的ESD保护电路实际案例的分析和研究，介绍了几种分析工具，并且在ESD失效机制的基础上，提出了改进ESD保护电路的设计途径。关键词：静电放电；失效分析；保护元件；过电应力中图分类号：TN306 文献标识码：A ofFailureinESDProtectionCircuitinE2PROMIC Study YI Fen91，WANYm92 58曲Institute 214035，China；2．CSMC (1．The ofCETC,Wuxi TechnologiesCorpora—on，Wuxi214035，China) circuit inIC．Itisahard Abstract：ESD(electrostatic discharge)protectis粕indispensablepart problem幻 avoidover-ESD．slress—inducedbreakdowninthe circuitofCMOSIC．Photonemission protection microscopy methodsas isanefficienttooltolocalizethe and such eleclron analysismicro-analysis scanning failure．Layout and wereusedto outthecauseandthemodeofthefailureinESD circuit．A EMfMl fmd microscopy protection batchofbreakdowninESDprotectioncircuitinE2PROMICwere BasedOilthe ofthefailuremechanismsomemethodsto theESD circiutwere analysis improve protection proposed． Key device；EoS words：ESD：FA：protection