193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术 193 nm ArF Immersion Lithography Technicque PK EUV Lithography Technicque.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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电子工业专用设备专题报道 Eguipment for Electronic Products Manufacturing 193 nm ArF 浸没式光刻技术 PK EUV 光刻技术翁寿松 ! # 无锡市罗特电子有限公司江苏无锡2 14001 摘要! 年月英特尔决定采用浸没式光刻技术研发工艺! 年月 2006 11 193 nm ArF 32 nm 2007 2 决定在节点上抛弃光刻技术采用浸没式光刻技术对于 I M 22 nm EUV 193 nm ArF ! 32 nm/22 工艺浸没式光刻技术优于光刻技术并将成为主流光刻技术 nm 193 nm ArF EUV ! 关键词! 工艺$ 工艺$ 浸没式光刻技术$ 光刻技术 32 nm 22 nm 193 nm ArF EUV 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! TN305.7 A 1004-4507 （2007）04-0017-02 193 nm ArF Immersion Lithography Technicgue PK EUV Lithography Technicgue WENG Shou-song ( Wuxi Luo Te Electronics Co., Ltd. Wuxi 2 1400 1, China ) Abstract : The 32 nm technology is developed by Intel using 193 nm ArF immersion lithography tech- nicgue in November 2006. The 22 nm technology is researched by I M with 193 nm ArF immersion lithography technicgue in February 2007, giving up EUV lithography. In the 32 nm/22 nm technology, the 193 nm ArF immersion lithography is main current lithography technicgue, surpassing the EUV lithography. Keywords: 32 nm technology g 22 n