Gate Grounded NMOS器件的ESD性能分析 Analysis of ESD Performance for Gate Grounded NMOS Device.pdfVIP

下载本文档

22
0
约1.09万字
约 4页
2017-08-03 发布于上海
举报
版权申诉

Gate Grounded NMOS器件的ESD性能分析 Analysis of ESD Performance for Gate Grounded NMOS Device.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第1I卷，第2期电子与封装总第94期 V01．11．No．2 2011年2月 ELECTRONTCSPACKAGn、『G ：。基逼：g，萌造，{_重曩．畦 GateGroundeddednuorUN NMOJⅥUSS器件的ESD性能分析李亮-，朱科翰2 (1．苏州市职业大学电子系，江苏苏州215104l2．昆泰集成电路(上海)有限公司。上海201203) 摘要：文章基于0．18“mCMOS工艺制程的1．8VNMOS器件，从工艺的角度并用TLP测试系统性能影响，影响GGNMOSESD性能的瓶颈是均匀开启性。在GGNMOS版图等其他特征参数最优的右，不会造成栅氧可靠性威胁，因此，采用PESD并非必需。关键词：静电放电；栅极接地；注入中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(2011)02-0018—04 GroundedNMOSDevice ofESDPerformanceforGate Analysis LI Ke—han2 LiangI,ZHU Vocational (1．DepartmentofElectronics，SuzhouUniversity，Suzhou215104，China； 201203，Chma) 2．ChrontelIC(Shanghai)Co．Ltd．，Shanghai in 0．1 Abstract：Basedon1．8VNMOSdeviceswhicharefabricatedcertain 8“m-CMOSprocess，gategrounded devicesale and from TLP Ⅻ订OS(GGNMOS)ESD perspectivebyusingtesting analyzedcomparedprocess ESD are effectsinGGNMOSESD withsalicideblock(SAB)andintroduced, system．The performances implant withthe devicewithorwithout tUtll-onofGGNMOSis GGNMOS respectively．Uniform important．Comparing the withSABcould current SABwhile other same，those uniformity，which ke印all layoutpa