试卷编号：00012重庆邮电大学.DOC

重庆邮电大学20-2014学年第学期 期试卷（）（闭卷） 题 号 一 二 总 分 2 3 4 1 2 3 4 5 1 得 分 评卷人 波尔兹曼常数 普朗克常数： 电子静止质量： 简答题。 (选做6小题，每小题5分，共30分) 固体有哪些典型结合形式？ 答: 固体有四种典型结合形式：离子性结合、共价性结合、金属性结合和VDW结合。(全部答出给5分，答出任意三种得4分) 简述Bloch定理的内容。 答：周期性势场里运动的粒子其波函数应具有Bloch函数的形式，即： . （5分） 什么是有效质量，它和惯性质量有什么区别？ 答：晶体中的电子在外场中做准经典运动时外力和加速度的比值定义为有效质量张量。一般地，有效质量是各向异性的；特殊情况下，有效质量可以作为标量处理。有效质量是在电子惯性质量的基础上考虑了晶体势场的效果，其数值可正可负，能带中不同状态对应的有效质量不同。而惯性质量是物体的属性，和物体的运动状态无关 (不考虑相对论效应)。（5分） 导体和非导体的能带结构有什么不同？半导体和绝缘体的能带结构又有什么不同？ 答：非导体的能带只有两种情形：所有状态均被电子占据的的满带，所有状态均未占据的空带；而导体除了满带和空带还存在有部分状态被占据的导带。作为非导体的半导体其价带和导带间的带隙较小，容易通过热激发或掺杂较大程度地改变其导电性质；而绝缘体因为带隙价带和导带间的带隙很大，难以通过热激发或掺杂产生大量载流子改变其导电性。（5分。能够回答出能带填充情况即可） 什么是功函数，功函数有什么意义？ 答：功函数又叫逸出功，反映金属对电子束缚能力的大小。逸出功是金属中的电子克服金属束缚逸出金属所需要的最低能量，其数值等于电子所处势阱深度减去Fermi能级的能量。（5分，用数学表达式表示亦可） 6．什么是直接带隙和间接带隙半导体？ 答：价带顶和导带底的位置在k空间同一点的半导体称为直接带隙半导体；价带顶和导带底的位置不在k空间同一点的半导体称为间接带隙半导体。（5分） 7．什么是施主和受主？ 答：半导体中掺入的杂质如果可以在价带和导带间的禁带中产生带电子的能级，则称该杂质为施主；如果半导体中掺入的杂质如果可以在价带和导带间的禁带中产生不带电子的空穴能级，则称该杂质为受主。（5分） 计算题。（每小题10分，选做4小题，共40分） 已知体心立方格子原胞基矢晶格常数为a. (1)计算其原胞体积。(2) 计算其倒格子原胞基矢及原胞体积。（10分） 解：(1) (3分) (2) 类似可得：(5分) 在简单立方格子中，计算 (111) 晶面系中距离原点最近的晶面和原点间的距离(晶格常数为 a)。（10分） 解：该距离即为晶面间距：，（4分）且这里，（4分）从而有：. (2分) 若一简单晶格相邻原子间的相互作用能可以表示为 试求 (1) 原子间平衡间距；(2) 晶体内能和结合能 (晶体包含N个晶胞)。（10分） 解：平衡间距满足，解之可得：. (4分) 4. 已知Na的原子量为23，密度为计算金属Na的Fermi半径、Fermi能量、Fermi速度和Fermi温度。（10分） 5．已知简单立方晶格的晶格常数为a，其价电子能带能量为 (1) 求带顶电子的有效质量和速度；（2）求价带宽度。（10分） 6. 硅半导体内掺磷且杂质浓度为, 硅的带隙为，导带底的有效状态密度为，环境温度为计算 (1) 载流子浓度； （2）Fermi能级。 问答题。（每小题10分，选做3小题，共30分） 试述晶格振动的简谐近似 (简谐振子模型)及其主要结论。 试比较晶格比热的 Einstein模型和Debye模型。 能带理论是单电子（或独立电子）近似的理论，谈谈你对单电子近似的理解。 说说你对Bloch电子的准经典运动的认识。 附加题。（每小题5分，共10分） 谈谈你在本课程中的收获. （包括但不限于课程知识） 谈谈你对下一届学生学好本课程的建议。 答：略。 2013-2-14-2固体物理与半导体物理学试卷 第3页（共2页）