6.1电荷耦合器件基本原理.ppt

;CCD背景介绍;电荷耦合器件;CCD的分类;CCD图像传感器目前已经成为图像传感器的主流产品。其应用研究成为当今高新技术的主流课题。它的发展推动了广播电视、工业电视、医用电视、军用电视、微光与红外电视技术的发展，带动了机器视觉的发展，促进了公安刑侦、交通指挥、安全保卫等事业的发展。 ; CCD是在MOS晶体管的基础上发展起来的，但与MOS晶 体管的工作原理不同。MOS晶体管是利用在电极下的半导体表面形成的反型层进行工作的，而CCD是利用在电极下SiO2—半导体界面形成的深耗尽层（势阱）进行工作的，属非稳态器件。 ;6.1.1 MOS结构特征;MOS结构 单元－像素;在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。; 势 阱 ; 对于半导体器件，当金属电极加上正电压时，接近半导体表面的空穴被排斥，电子增多，在表面下一定范围内只留下受主离子，形成耗尽区。该区域对电子来说是一个势能很低的区域，也称势阱。加在栅极上的电压愈高，表面势越高，势阱越深；若外加电压一定，势阱深度随势阱中电荷量的增加而线性下降。 ;;UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层（沟道）。;耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域，若注入电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。表面处构成了对 ;CCD的工作条件：;6.1.2 CCD的势阱深度与电荷的存储 ; 势阱的深度与存储能力都是由表面势所决定。;订衙疗庇痪兄奢怕富巾漱狄斯加统陀顾真夺拷州矣猿仪裸掣哪妆志拾诚烯6.1电荷耦合器件的基本原理6.1电荷耦合器件的基本原理;简单写成以下形式：;势阱内吸收的光电子数量与入射光势阱附近的光强成正比。一个势阱所吸收集的若干个光生电荷称为一个电荷包。;信号电荷包的传输;6.1.3电荷耦合原理; 当t=t2时，①电极和②电极均加有+10V电压，且两电极靠得很近，这样①电极和②电极下面所形成的势阱就连通，①电极下的部分电荷就流入②电极下的势阱中。 当t=t3时，①电极上的电压已由+10V变为+2V，下面的势阱由深变浅，势 阱内电荷全部移入②电极下???深势阱中。 由上面过程可知，从t1→t3 ，深势阱从①电极下移动到②电极下面，势阱 内的电荷也向右转移了一位。如果不断地改变电极上的电压，就能使信号电荷 可控地一位一位地顺序传输，这就是电荷耦合。