Al 沉积n 型多孔硅表面钝化及其发光性能 - 中南大学学报.PDF

第 44 卷第 9 期 中南大学学报(自然科学版)  Vol.44  No.9  2013 年 9 月  Journal of Central South University (Science and Technology)  Sep. 2013  Al 沉积 n 型多孔硅表面钝化及其发光性能 宋晓岚，张颖，黄书涛，张铭婉，喻振兴  (中南大学 资源加工与生物工程学院，湖南 长沙，410083)  摘要：采用电化学沉积 Al 方法钝化用脉冲电化学腐蚀制备的 n 型多孔硅  (n­type porous silicon，n­PS)表面以改善 其发光性能和稳定性。 通过扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT­IR)及在室温于 500~700 nm 范围内荧光 光谱研究 n­PS 表面 Al 钝化后的表面结构、形貌及光致发光性能(PL)，探讨 Al 在 n­PS 表面的钝化作用，并通过 改变电压和时间研究钝化条件对 PL性能的影响。研究结果表明：多孔硅经 Al钝化后其表面结构显得更加致密均 匀；与钝化前相比，其发光强度加强，约为钝化前的 2倍，且分别在钝化电压为 18 V及钝化时间为 60 min 或钝 化电压为 25 V及钝化时间为30 min左右时，其发光强度较高。 关键词：n 型多孔硅；Al沉积；表面钝化；光致发光性能 中图分类号：TN304.1  文献标志码：A  文章编号：1672−7207(2013)09−3569−05  Surface passivationby Al depositing of n­type porous silicon and its  photoluminescence performance  SONG Xiaolan, ZHANG Ying, HUANG Shutao, ZHANG Mingwan,YU Zhengxing  (School of Minerals Processing  Bioengineering, Central South University, Changsha 410083, China)  Abstract: The Al electrochemical depositing technique was applied to process surface of n type porous silicon (n­PS)  obtained by etching method of pulse electrochemical in order to improve the photoluminescence(PL) performance and its  stability of n­PS. Scanning electron microscopy (SEM), fourier transform infrared (FT­IR) spectroscopy and fluorescence  spectroscopy with wavelength range of 500−700 nm of room temperature were used to study the surface structure and  morphology, PL performance of n­PS and passivation function with Al depositing. The influence of passivating condition  on the PL performance of n­PS was investigated by changing voltage and time. The results show tha