硅基全光宽带太赫兹幅度调制器的研究田伟文岐业陈智-物理学报.PDF

硅基全光宽带太赫兹幅度调制器的研究 田伟 文岐业 陈智 杨青慧 荆玉兰 张怀武 Opticallytunedwidebandterahertzwaveamplitudemodulator based on gold-doped silicon TianWei WenQi-Ye ChenZhi YangQing-Hui JingYu-Lan Zhang Huai-Wu 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,028401(2015) DOI: 10.7498/aps.64.028401 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.028401 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I2 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyou maybeinterestedin 基于VO 薄膜相变原理的温控太赫兹超材料调制器 Thermallycontrolledterahertzmetamaterialmodulatorbasedon phase transition of VO thinfilm 物理学报.2013,62(13): 130702 /10.7498/aps.62.130702 掺铁铌酸锂晶体的光电导衰减特性研究 Photo-conductivitydecaypropertiesofFe-dopedcongruentlithium niobate crystals 物理学报.2013,62(3): 037201 /10.7498/aps.62.037201 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响 Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon- on-insulatorwafers 物理学报.2011,60(5): 056104 /10.7498/aps.60.056104 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 2 (2015) 028401 硅基全光宽带太赫兹幅度调制器的研究 田伟 文岐业 陈智 杨青慧 荆玉兰 张怀武 1)(电子科技大学, 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054) 2)( 电子科技大学, 通信抗干扰技术国家级重点实验室, 成都 610054) ( 2014 年8 月10 日收到; 2014 年9 月7 日收到修改稿) 提出了一种基于掺金硅的全光学宽带太赫兹波幅度调制器, 研究了金(Au) 点阵掺杂后硅(Si) 体内的少 数载流子寿命及其太赫兹波调制特性. 实验结果表明, 掺杂的Au 原子为Si 中的光生电子- 空穴对提供了有 效复合中心, 使其少数载流子寿命由原来十几微秒降低至110 ns 左右. 利用波长915 nm 调制激光作为抽运 光源, 在340 GHz 载波的动态调制测试中获得4.3 MHz 的调制速率和21% 的调制深度, 使Si 基调制器的调制 速率提高了两个数量级. 该全光太赫兹调制器可工作在整个太赫兹频段内, 具有极化不敏感特性, 因而在太 赫兹波高速和宽带调控方面具有重要的应用价值, 也是构建光控型Si 基太赫兹功能器件的重要基础. 关键词: 太赫兹波, 调制器, 光控, 掺金硅 PACS: 84.30.Qi, 07.57.Pt, 72.20.Jv, 61.72.U– DOI: 10.7498/aps.64.028401 赫兹波直接调制68 . 但是由于2DEG 厚度仅为 1 引 言 纳米级, 对THz 波的调制深度较小( 3%).