氧分压对TiO_2膜结构与光学性质的影响.pdfVIP

第 22 卷 　第 3 期 膜 　科 　学 　与 　技 　术 Vo1. 22 　No . 3 2002 年 6 月 MEMBRANE SCIENCE AND TECHNOLOGY Jun . 2002 文章编号 :1007 - 8924 (2002) 03 - 0029 - 06 氧分压对 TiO2 膜结构与光学性质的影响 朱 　凤 　赵 　坤 　赵 　夔 　王莉芳 　全胜文 (北京大学重离子物理研究所超导腔组 , 北京 　100871) 摘 　要 :报道了用反应溅射法制备 TiO2 膜的实验研究. 详细研究了膜的沉积 、膜结构及其光学 性质 ,随溅射氧分压的变化. 随氧分压由6 ×10 - 2 Pa 增加到 9 ×10 - 2 Pa 时 , 晶体结构由金红石 变到锐钛矿 ,氧分压超过 9 ×10 - 2 Pa 时趋向于无定形结构. 与膜结构密切相关的折射率 n 随 ( 氧分压的增大由2 . 44 变到 1. 96 ,禁带宽度 Eg 则由大变小 ,然后再增大的变化 3 . 4 1 →3 . 26 → 3 . 42) . 关键词 : 反应溅射 ; TiO2 薄膜 ; 氧分压 ; 折射率 ; 禁带宽度 中图分类号 : O48 ; TQ028 　　文献标识码 : A 　　TiO2 由于具有优异的光学性能和高稳定性 ,使 过程通过一台2 A 、3 kV 的直流稳流源控制 ,溅射靶 得它在光学薄膜材料方面有着广泛 的应用. 制备 为半径 30 mm 、厚度 2. 5 mm 的金属钛 ,靶与基底的距 TiO2 的方法很多 , 比如蒸镀法[ 1] 、化学沉积法[2 ] 、溶 离为 60 mm ,基底面积为 8. 7 mm ×24 . 7 mm. 胶 - 凝胶[3 ] 、R . F. 磁控和直流磁控溅射法[4 ,5 ] 等. 直 每次溅射前 ,都预先在纯 Ar 气体中放电 5 min 流磁控反应溅射具有独特的优点 : 1) 使用金属靶 ; 左右 , 以除去靶表面的氧化物 ,当观察到靶表面辉光 2) 可以有高的溅射速率 ;3) 膜的成分易于控制. 这 放电的颜色由粉红变为蓝 白色时 ,或者放电电压迅 使得它特别适用于工业化生产 ,可以制备大面积薄 速下降到某一稳定值时 ,表明氧化物已经除去[6 ] . 然 膜. 另外 ,使用磁控溅射法 ,在良好的真空条件下 ,基 后再通 O2 ,进行反应溅射. 完成反应溅射后 ,继续清 底温度不需要很高就可以制备出高质量的 TiO 膜. 洗几分钟. 2 ( ) 薄膜的溅射速率 由溅射时间和薄膜厚度来确 本文重点研究不同氧分压 其他溅射条件最佳 对膜的结构与性质的影响. 氧分压从 3 . 0 ×10 - 2 Pa 定 ,薄膜厚度是用台阶仪来测定的. 薄膜的透射光谱 到 1. 0 ×10 - 1 Pa ,保持O2 和Ar 的总气压在 1. 4 ×100 是用紫外可见光谱分析仪测定. TiO2 膜的晶体结构 - 3 α Pa ,实验时本底真空约为 2 . 0 ×10 Pa