MOCVD生长GaN材料模拟.pdfVIP

第 26 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 4 2005 年 4 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Ap r . ,2005 MOCVD 生长 Ga N 材料的模拟 郭文平 　邵嘉平 　罗 　毅 　孙长征 　郝智彪 　韩彦军 (清华大学电子工程系 集成光电子学国家重点实验室 , 北京 　100084) ( ) 摘要 : 基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积 MOCVD 反应器生长 GaN 材料的流场 、热场 、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数. 计算结果与同样条件下的实验结果 吻合程度相当高 ,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的 ,能够以此来模拟和指导 GaN 基材料的 MOCVD 生 长工艺. 研究并讨论了 GaN 的 MOCVD 生长中输入 Ⅴ/ Ⅲ比、进气 口双束流上下比、总流量 、反应室压力等工艺条 件对局域 Ⅴ/ Ⅲ比的影响. 关键词 : GaN ; MOCVD ; 计算流体力学 ; 模拟 ; 局域 Ⅴ/ Ⅲ比 PACC : 6855 中图分类号 : TN 304055 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 例如工艺参数变化对局域 Ⅴ/ Ⅲ比的影响. 因此 ,很 ( ) 1 　引言 有必要利用计算流体力学 CFD 方法来模拟商用 MOCVD 系统在各种工艺条件下生长 GaN 材料的 GaN 基材料已经在高效率光电子器件和高温 结果. 大功率电子器件方面获得了广泛的应用[ 1～3 ] . 目前 , 本论文将在三维空间中模拟德 国 A IX TRON ( ) 公司生产的 A IX2000 H T 型行星式水平 MOCVD 金属有机物化学气相沉积 MOCVD 技术已经成为 生长高质量 GaN 基材料与器件结构的最主要方法. 反应器生长 GaN 材料的流场 、热场 、反应物与生成 GaN 材料的 MOCVD 生长通常需要在诸如高 Ⅴ/ Ⅲ 物的分布以及材料生长速率等重要物理参数. 同时 , 比等不同于普通 Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料的生长 论文还将研究 GaN 的 MOCVD 生长中输入 Ⅴ/ Ⅲ 条件下进行 , 同时生长机理也较为复杂. 因此 ,材料 比、进气口双束流上下比、总流量 、反应室压力等工 研究人员需要对生长工艺进行模拟 以便快速获得 艺条件对局域 Ⅴ/ Ⅲ比的影响. GaN 基材料的 MOCVD 生长的流体力学 、热传导 、 反应物与生成物的反应与输运属性等方面的信息 , 2 　基本模型 以增加对 MOCVD 工艺的直观认识 ,从而指导工艺 过程与工艺参数的优化.