完美晶体中正电子体寿命计算的几种方法的分析及比较.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．21(2014) 217804 完美晶体中正电子体寿命计算的几种方法的 分析与比较冰 黄世娟 )2) 张文帅 )2) 刘建党 )2) 张杰3) 李骏 )2) 叶邦角 )2)十 1)(中国科学技术大学，核探测器与核电子学国家重点实验室，合肥 230026) 2)(中国科学技术大学近代物理系，合肥 230026) 3)(中科院等离子体物理所，合肥 230026) (2014年5月20日收到；2014年8月4日收到修改稿) 以正电子寿命为探测对象的正电子湮没寿命谱技术在研究半导体等材料的微缺陷方面得到了广泛的应 用，它对晶体的结构类型、缺陷种类以及温度等十分敏感，因此，理论上正电子寿命的快速精确计算与实验数 据的结合分析显得尤为重要．采用中性原子叠加模型、赝势方法和全势方法处理正电子局域势能，有限差分方 法 自洽求解正 电子波函数，局域密度近似和广义梯度近似处理正电子电子关联势和增强因子，以体心立方结 构的OL—Fe、面心立方结构的A1和复式面心立方结构的Si三种单晶固体为例，分别计算了它们的正电子体寿 命，计算值与相应的实验结果和其他计算结果均符合较好．同时细致分析了这几种方法在 电子密度 网格点精 度、正电子 电子关联势和增强因子等方面对正电子体寿命计算的影响，探讨了这几种方法在计算正电子体寿 命方面各 自的优缺点． 关键词：正电子体寿命，完美晶体，正电子电子关联势，增强因子 PACS：78．70．Bj，71．15．Mb，71．15．一m DOI：10．7498／aps．63．217804 值，再与理论计算得到的特定晶体结构和特定缺陷 1 引 言 类型的正电子寿命值对比，能够为材料微结构的分 析提供强有力的证据 7【，81． 由制作工艺、中子辐射或电子辐射等导致的晶 目前，在二成分密度泛函理论 [9,10】的基础上 体 中的各种缺陷能够强烈地影响晶体的物理和化 发展起来的正 电子寿命计算有很多种近似方法． 学特性，因此，晶体 内缺陷的表征对提高晶体的性 这些不同主要来 自于：11对正电子所处势场的不 能具有指导意义．近几十年来，以低能正电子为 同近似处理方式，也即正电子所处的晶体 电子结 探针的正电子湮没技术 fthepositronannihilation 构的不同近似处理，比如中性原子叠加模型 (the technology,PAT)已经成为表征晶体 内缺陷的一种 superposedneutralatom model，SNA1[11J、赝势 强有力的手段 [1--5】，它通过获取正 电子与电子淹没 模型 (thepesudo-potentialmodel，PP)(如经验赝 产生的 光子的时间、动量、能量等信息，从微观上 势 1【2]、模守恒赝势 【0】、超软赝势 [14]、投影缀加波方 对固体 内的电子结构进行无损探测分析，相对于 法 1【5116】ftheprojectoraugmentedwavemethod， 其他探测手段，这是PAT所具有的最大优势 [6】．正 州 )等)和全势模型 (如线性MT轨道原子球近 电子寿命谱技术作为 中的一种，它 以正 电子 似方法 [17】、全势线性MT轨道方法 [18]、全势线性 寿命为探测对象，对晶体的结构类型、缺陷种类以 缀加平面波方法 [19,20】fthefullpotentiallinearized 及温度等都是十分敏感的，实验上得到正电子寿命 augme