半导体p-n结,异质结与异质结构03_.pptVIP

半导体，本征半导体，非本征半导体;本征半导体载流子浓度ni, p i;杂质半导体ni,电子浓度n,空穴浓度p 之间的关系;n型p型半导体的能带结构 ;p-n结形成的内部机理;几个重要参数和概念;PN结的伏安(I-V)特性： I为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，与温度和材料有关的参数，V为外加电压； Vt=kT/q,为温度的电压当量（Vt=26mV.），当外加正向电压V为正值且比Vt大几倍时, 正向电流随正向电压的增加按指数规律增大,PN结为正向导通状态.外加反向电压即v为负值，且|v|比Vt大几倍时，PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。由PN结的I/V特性曲线得到：PN结具有单向导电性和非线性伏安特性. ? ;PN结的正向导电性; PN结加反向电压时,空间电荷区变宽, 电场增强, 阻止了多数载流子的扩散,而P区和N区的少数载流子电子和空穴沿反向电场运动,产生反向漏电流,由于少子是本征激发,它决定于温度而不决定于反向电压,当反向电压增大到一定程度足以把少子全部吸引过来时,电流达到恒定,称作反向饱和漏电流, 当反向电压再增大电流突然增大时,称作PN结击穿。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁. PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变,反向时电容减小正向时电容增大.;半导体同质p-n结,异质结的形成 ;PN结的应用 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。 1. 用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管， 2. 利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管； 3. 利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管； 4. 利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管; 5. 将半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。 如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管； 6. 利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器； 7. 利用光生伏特效应可制成太阳电池; 8. 利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能; PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代微电子技术、光电子技术的基础。;半导体异质结;异质结的能带结构;半导体异质结构的基本特性 半导体异质结构，是将不同材料的半导体薄膜，依先后次序外延淀积在同一衬底上。如图所述的是利用半导体异质结构所作成的半导体激光器 基本特性： 量子效应： 因中间层的能阶较低，电子很容易掉落下来被局限在中间层，而中间层可以只有几nm的厚度，因此在如此小的空间内，电子的 特性会受到量子效应的影响而改变。例如：能阶量子化、基态能量增加、能态密度改变等，其中能态密度与能阶位置，是决定电子特性很重要的因素。 ;迁移率(Mobility)变大： 半导体的自由电子主要是由于外加杂质的贡献，因此在一般的半导体材料中，自由电子会受到杂质的碰撞而减低其行动能力。然 而在异质结构中，可将杂质加在两边的夹层中，该杂质所贡献的电子会掉到中间层，因其有较低的能量（如图所示），因此在空间上，电子与杂质是分开的，所以电子的行动就不会因杂质的碰撞而受到限制，因此其迁移率就可以大大增加，这是高速组件的基本要素。 ;发光二极管组件(light emitting devices, LED)： 因为半导体异质结构能将电子与空穴局限在中间层内，电子与空穴的复合率因而增加，所以发光的效率较大；同时改变量子井的宽度亦可以控制发光的频率，所以现今的半导体发光组件，大都是由异质结构所组成的。半导体异质结构发光组件，相较其它发光组件，具有高效率、省电、耐用等优点，因此应用广泛。; 激光二极管： 半导体激光二极管的基本构造，与发光组件极为类似，只不过激光是二极管必须考虑到受激发光与共振的条件。使用半导体异质结构，因电子与空穴很容易掉到中间层，因此载子数目反转较易达成，这是具有受激发光的必要条件，而且电子与空穴被局限在中间层内，其结合率较大。此外，两旁夹层的折射率与中间层不同，因而可以将光局限在中间层，致使光不会流失，而增加激光强度，异质结构很适合制作激光器，有很大的优点。;若干半导体杂质掺杂的一些考虑;关于Au/ZnO/Si异质结能带结构;器件结构图;Au/n-ZnO/p-Si新