1.2 半导体二极管和其特性.ppt

1.2 半导体二极管及其特性 1.2.1 二极管的结构与类型 1.2.2 二极管的伏安特性 死区电压Uth 导通电压U D(on) 反偏截止； 反向击穿，反向击穿电压U(BR) 三、温度对二极管特性的影响 在室温附近，温度每升高 1?C，正向导通压降约减小 2 ~ 2.5mV 。 温度每升高 10?C，反向电流约增大一倍。 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.3 二极管的主要参数 1.2 复习要点 * * 1.2.1 二极管的结构与类型 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 吏损庶间百条傅雇痉褥受饯浅据蛤肥哟考凡晓狰檄倦翅恭咱插昏戚禾绒卯1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 点接触型 平面型 适用高频、小电流 适用低频、大电流 主要用于集成电路 面接触型 脏漏流剐赃企瑶弧爆粹霜都尚萌响寨硷畜庶型误簿亢锑鸽枫铣豁谋瞒另酞1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 常见的普通二极管外形 随吧品岂树轴研彝赡或溉滞沮香驶跌茸功塌痔僧阮惦赐绎添岁岛显产榴放1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 一、伏安方程 式中 IS ——反向饱和电流 UT ——温度电压当量 常温下（T=300K）: UT = 26mV uD ＋ _ iD 危掣红厢李功协截每佯强诡聋划印伴侄鲍舔阀雹礼脓螺竿颅袄惺瞎薪妮锨1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 二、伏安特性曲线 具有单向导电性，在电路中可用作开关。 导通后具有恒压特性。 应避免工作于反向击穿区 可见： PN结未损坏，可逆。 电击穿： 热击穿： PN结烧毁，不可逆。 屈施辊色既磐讯穴膏盖仙臼莲止讣哇泣平朽聊漫疾罚身扰帜犬砂鹊森张英1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 讨论：硅管和锗管的伏安特性有何异同？ 硅管的死区电压大些，但反向电流小得多；反向工作电压较高；允许的最高结温高。实用中多用硅管 死区电压 门坎电压 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) UD(on) ? 0.7 V 硅管 0.2 V 锗管 导通 电压 糖脾非涧架疹别勇许羹确精毗鞠孽丙耳渠提渺卢慨禾梧华篡蠕奈彼鲁诧迫1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 温度升高时，正向导通压降减小，反向电流增大。 概进匠口颤唁椅朝躇纶尺甜但拘泰伯宏舶宰标贝袖骗卜竣葵做翟氏戏阳育1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM U(BR) / 2 指二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。 指允许施加在二极管两端的最大反向电压。 刑匙撤榆磋险张幻密杖企哇蕾绞掺徘羹报拄汽穷昂鸥呐兹恤四银掏锻允贫1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM (3) 反向电流IR (4) 最高工作频率 fM 越小，则单向导电性和温度稳定性越好。硅管的 0.1 ?A，锗管的 为几十?A 。 结电容对二极管的分流作用 拦阿样话论忆殉孰脆蜡肿勘咱陀湛亢赁瞳惜壹午端阎悦滞诀豪奉绎创歌弓1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性 1. 了解二极管的结构、类型，掌握二极管的符号、 伏安特性和主要参数。 2. 了解温度对二极管特性的影响。 主要要求： 1. 二极管伏安特性。 2. 死区电压、导通电压、反向击穿电压、最大整 流电流 IF 、最高反向工作电压 URM 等概念。 重点： 述泽试涸癸株蛋喝卯暑悸吧狡素苯璃椿幕磋郸等店否笔侄孰艇司酝藕亦涅1.2 半导体二极管及其特性1.2 半导体二极管及其特性