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P105150制程-陈旻政下世代立体场效电晶体元件整合-人才培训中心.DOC

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P105150制程-陈旻政下世代立体场效电晶体元件整合-人才培训中心.DOC

科學工業園區管理局「半導體技術人才培訓計畫」 ~~課程簡章~~ 課程名稱 (P105150) 下世代立體場效電晶體元件整合 上課費用 .00元 備註:一般價 .00元 備註:特約商、3人團報18:30~21:30,共計3小時。 開課地點 新竹科學工業園區同業公會(新竹科學園區展業一路2號) 課程概述及目標 課程摘要: 為因應面臨莫爾定律物理上的極限,未來5到7奈米製程技術節點以下先進電晶體元件微縮的方式已無法單純持續下去,勢必要有新材料與新結構的導入。綜觀過去在high strain SiGe、HKMG、及FinFET 3DFET結構的量產導入都只有短短十多年的研發時程。為了能讓半導體製造產業相關人士能瞭解未來CMOS製程技術的走向,本課程首先將從元件與整合的角度介紹未來CMOS製程技術中先進3D FET需要突破的挑戰,接著將介紹目前低操作偏壓中最具挑戰SS 60 mV/dec的負電容材料的導入與整合,最後探討近年來最熱門的極致超薄原子層二維電子通道材料的研究成果。讓學員能從深入淺出的角度對下世代立體場效電晶體元件整合有一初步的瞭解。 建議學員可以先閱讀過Prof. Joachim N. Burghartz的”Guide to State-of -the-Art Electron Devices”或對於半導體製程技術有初步瞭解。 課程大綱: 1. 3D FET device options and concerns for emerging CMOS technology 2. Negative gate dielectric material for internal gain of SS 60 mV/dec 3. 2D semiconductor material for extreme thin channel body scaling 課程師資 *陳旻政 現職經歷 2009~2013 國家奈米元件實驗室/副研究員 2005~2009 台積電/主任工程師 專長Device Physics of Semiconductor Nanostructures, Semiconductor Device Process Integration. 交通大學電子系人才培訓中心報名表 上課費用標有優惠價,適用對象為〔特約廠商〕或〔3人(含)以上團體報名〕,請至本網站首頁查詢〔特約商名錄〕或在〔加入特約商〕處加入!P105150) 下世代立體場效電晶體元件整合 學員自付 .00元 備註:一般價 .00元 備註:特約商、3人團報 上課時間 105年8月16日(週二) Pm18:30~21:30,共計3小時 *中文姓名 *身分證字號(製作證書用) *出生日期 民國 年 月 日 *帳號(報名系統必填)(請填e-mail) *密碼(必填)(請以英文與數字,不超過10字元) *部門/職銜 *公司地址 □□□ *公司電話 住宅或 行動電話 e-mail (請填寫與帳號不同者,若無免填) 訓練負責人/部門/連絡電話/e-mail:(請填寫以利提供教育訓練課程給貴公司) *最高學歷 請勾選 □博士 □碩士 □大學 □專科 □其他 畢業學校 畢業科系 *繳費收據抬頭 (若是公司支付,請填公司全銜;若是個人自付,請填個人姓名。) *繳費方式 □郵寄即期匯支票 □上課當天現場繳費□ATM轉帳或匯款(匯款日期: ) 報名繳費方式及連絡方式 報名及繳款方式 ※報名 1. 報名方式: (1) 線上報名:請上中心網站「」依步驟完成報名(.tw)傳真通訊報名:請下載詳細填寫,以傳真郵寄方式報名。 3. 選課前請詳閱課程簡章,報名後恕不退費或轉課!本保留、之權利。接受「匯票」、「支票」、「」方式抬頭「國立交通大學」 2. 由個人付款者: (1)「匯、支票」繳款:請購買即期票,抬頭「國立交通大學」,註明學員姓名及課程名稱,於課前郵寄。 (2)「上課當天現場繳交」:可接受「現金」或「即期匯支票」。 ※「」繳款: 連絡方式 開班單位:國立交通大學電子系人才培訓中心 林小姐 電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992 地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室 網站:.tw e-mail:mnlin@.tw 辦公時間:週一至週五 主辦單位 開班單位

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