以钛酸钡薄膜作为绝缘感测层的氢离子感测场效电晶体特性之研究.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 以鈦酸鋇薄膜作為絕緣層的離子感測場效電晶體特性之研究 Study on the characteristic of the ion sensitive field effect transistor by the insulated sensitive layer of barium titanate thin film 計畫編號： NSC 94-2216-E-275-001 執行期限：94/08/01~95/07/31 主持人：詹勳生（嶺東科技大學資訊管理系） 一、中文摘要 了電化學以及微電子學技術。然而ISFET 結構上 本計畫係利用溶膠-凝膠法(Sol-gel method)備 不同於一般 MOSFET的是將原有金屬閘極省略， 製奈米級鈦酸鋇(BaTiO3)材料作為氫離子絕緣感 改由感測絕緣層取代之，並藉由參考電極來建立電 測薄膜，其備製參數採用低溫焦化溫度 350 ℃、高 解液和半導體基底間的相對電位來正確地操作 溫熱處理溫度 350-850 ℃及薄膜厚度 120-360 nm ISFET 。依據Site-binding model [2] ，將感測層浸入 等。結果發現高溫熱處理溫度須低於550 ℃，其薄 電解液後，感測層表面將產生與電解液中離子發生 膜微結構方能維持非晶形結構以利進行離子感測 反應的鍵結關係；反應發生後，使得感測層表面帶 ，且薄膜厚度愈厚將導致響應度下降。最後，藉由 電，並感應吸附電解液中帶相反電性的離子在其表 EIS 結構之電容電壓特性量測，獲得- BaTiO3 薄膜 面附近，以維持整個 EIS 系統的電中性，如此形成 平均感測度約為40-54 mV/pH 。 電雙層效應（ Electrical-double layer ）[2] ，進而控 制通道電荷數以調變通道寬度。 關鍵字： 鈦酸鋇、ISFET 、MIS 、EIS 、pH響應度 ISFET發現迄今，過去相繼有大量的研究工作 Abstract 者發現：利用單層結構 SiO2 作為感測閘極(Gate) The amorphous barium titanate (BaTiO ) thin 之 ISFET 元件，其感測度、穩定性及線性度皆表 3 films are prepared by a sol-gel technique as a 現不理想，因此不同的感測材料與雙層結構陸續被 pH-sensing layer of ion-sensitive field-effect transistor 提出，如 Si N 、Al