晶圆级的度量扩展了45奈米的制程应用-YMSMagazine.PDF

度量 晶圓級的度量擴展了 奈米的製程應用 45 、 、 Paul MacDonald Greg Roche Mark Wiltse -– KLA-Tencor Corporation 儀器晶圓 （包括 KLA-Tencor 的 Integral™ SensorWafers™）逐漸用於優化 、疑難排解與監控許多不同的製程應用。 這些特殊化的基板包含完整度量儀器 ，能夠提供高準確度 、按時間順序排列的測量 ，顯示晶圓對於動態製程環境的 反應 。 幾何不斷縮小的持續性趨勢的結果之一 ，便是必須將即 物理氣相沉積(PVD) ：銅阻礙 ／晶種腔體對比溫度 1 時工具資料與其他形式的度量資料整合。半導體產業將 隨著銅對於半導體金屬化組合的增加 ，對於晶種層以及 與製程工具相關的度量資料定義為 ：離線 （分開）、線 阻礙生長也需要投以更多關注。隨著沉積溫度的減少 ， 上 （附加並在之後與之後立即進行測量）和原處 （已整 無線感應晶圓也成為一種確實可行的方法 ，能夠特徵化 合 ，用於製程期間的測量）。主題類別 「離線／線上／原 這些製程並提供腔體比對的方法。 處度量」將包括在2007 年修訂版本的ITRS Metrology and 2 （ 度量與工廠整合）一節。 Factory Integration ITRS 兩個生產銅 晶種的腔體接受了針對不同 功率以 (Cu) RF 3 儀器化基板可同時應用於上述的幾種類別 ，它們可收集 及卡盤溫度條件的研究調查。 低及高功率條件是在矩陣 製程內部的即時資訊 （原處），同時發生的空間資訊 空間、低和超低陰極溫度的條件下進行評估 。基線條件 （低功率、低溫度）會在圖 和 中描述。立即可見 （離線）；同時可以在製程之前與之後立即讀取這些儀 1a 1b 性是熱一致性與平均溫度當中的差異。腔體 顯示靠近 器 （線上）。以下段落描述一系列45 nm 的節點相關應 A 槽口的邊緣上出現高非一致性的情況 。腔體 顯示同 用範例 ，顯示儀器化基板的使用情況。 B 心 ，擁有緊縮範圍的一致性圖樣。 運作的空 SensorWafer 間溫度資料的檢驗與建模與