热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管.PDF

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) 2092 Acta Phys. -Chim. Sin. 2017, 33 (10), 2092−2098 October [Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201705114 热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管 * 宋二龙 兰林锋 林振国 孙 圣 宋 威 李育智 高沛雄 张 鹏 彭俊彪 (华南理工大学，发光材料与器件国家重点实验室，广州 510640) 摘要：本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80% : 20% (质 量分数比) 的ZnO和In O 的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材，以制备的靶材通过磁控溅射 2 3 制备IZO TFT。X射线衍射(XRD)图谱以及扫描电镜(SEM) 图像表明IZO靶材结晶性好，元素分布均匀。烧 结温度为850 °C时靶材呈现烧结致密化，900 °C-60 min条件下In O 的挥发破坏了靶材烧结致密化。提 2 3 高烧结温度或延长烧结时间加速In向ZnO 晶格的扩散以及空位向表面迁移，有利于靶材致密化以及形成 InZnO 晶相。TFT器件表征结果表明低密度和过高密度靶材会恶化薄膜质量，降低器件性能，可见适当 x 高密度的靶材对制备TFT至关重要，最终900 °C-90 min条件的靶材所制备的TFT性能最好，迁移率为 2 −1 −1 16.25 cm ∙V ∙s 。 关键词：薄膜晶体管；氧化铟锌；热压烧结；靶材；磁控溅射 中图分类号：O649 Preparation of Indium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors by Hot-Pressing Sintering Target * SONG Er-Long LAN Lin-Feng LIN Zhen-Guo SUN Sheng SONG Wei LI Yu-Zhi GAO Pei-Xiong ZHANG Peng PENG Jun-Biao (State Key Laboratory of Luminescence Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, P. R.China) Abstract: The sintering condition was