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目前应用于LCD制程array段及半导体相关产业的蚀刻技术主要
目 前 應 用 於
L C D 製 程
array段及半
導體相關產業
的蝕刻技術,
主要可分為濕
蝕刻與乾蝕刻
兩種,溼式溼
蝕刻則與乾式
蝕刻優缺點互
補,如何去運
用需要製程控
制上極大的智
慧,以下是針
對 TFT LCD 溼
蝕刻製程及設
F T L C D 製程a r r段,等同於半a y 備,介紹其原
T 導體製程,均是利用sputter/CVD 成膜 理與機台操作
技術,來形成導體層、介電層、擴散障礙
層、保護層等,再利用上光阻,曝光,顯影在光阻上形成所需的pattern,接 步驟
著利用蝕刻將未受光阻保護的區域去除,最後再將光阻去除。隨著設計的電
路結構,週而復始的進行以上步驟,即可得一個立體的電路結構,而目前最
通用的TFT LCD array結構即是利用5PEP 製程得到所需的TFT 結構,各大LCD 廠為了降低成本及提高產能,正積極
朝4PEP 的目標邁進。
本文主要以TFT LCD array段蝕刻技術作為討論主題,array段蝕刻隨著各層使用材料不同(導線材料有Mo /
AlNd, Cr/AlNd, Ti/Al/Ti? .等),或者製程別的不同,甚至建廠規劃考量,會導致乾溼蝕刻的比重有很大
37
TFT Array製程介紹
Deposition Sputter , CVD
P.R. Coating Spin Coater
Photomask Exposure Stepper ,
Develop Spin , Shower
Etching Dry Wet Etcher
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