300mm硅片CMP设备装载技术研究 Study on Loading Technology in 300mm Silicon Wafer Chemical Mechanical Polishing Equipment.pdfVIP

- 电 子 工 业 董 用 设 备 IC制造工艺与设备 300mm硅片CMP设备装载 技术研究 高文泉，陈威，陈波，柳滨 (中国电子科技集团公司第四十五研究所 ，北京 101601) 摘 要 ：定位装载机构是硅片化学机械抛光(CMP)设备的一个重要组成部分。本文通过对 Ifl前 CMP设备 中硅 片定位装载机构的介绍 、分析与 比较 ，介绍 了一种新型定位装载机构的功能、结构 原理及控制原理 ，并最终通过在工艺试验 中的实际应用确定了该机构 已基本达到设计要求。 关键词：定位装载机构；化学机械抛光；CMP；控制原理 中图分类号：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号：1004．4507(2011)11-0001—04 StudyonLoadingTechnologyin300mm SiliconW afer ChemicalM echanicalPolishingEquipment GAO Wenquan，CHEN Wei，CHEN Bo，LIU Bin (The45ResearchInstituteofCETC，Beijing101601，China) Abstract：The structure ofsilicon waferorientation and loading isan importantpart in CMP equipment．Itintroducesthefunction，sturcturetheoryandcontroltheory ofanew orientationand loading sturcture，through introduction，analysisand compareofcurrentorientation and loading sturcture．Finally，itconfirmsthatthesturcutrehasbasicallyachieveddesignrequirefrom technical experiment． Keywords：Orientationandloadingstructure；Chemicalmechanicalpolishing；CMP；Controltheory 目前，超大规模集成 电路制造技术 已经发展 方法，该方法既可以获得较完美的表面，又可 以得 到了0．12 m和 300mm时代 ，特征线宽为 0．1 m 到较高的抛光速率，已经基本取代 了传统的热流 的技术也正在走向市场。随着特征线宽的进一步 法、旋转式玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法、等离 微小化，对硅片表面的平坦化程度提出了更高的 子增强CVD、淀积 一腐蚀 一淀积等技术…。 要求，化学机械抛光 (CMP1技术被公认为是超大 硅片定位装载机构在化学机械抛光设备中的 规模集成电路(ULSI)阶段最好的材料全局平坦化 主要作用是检测和定位硅片，并将硅片装载到承 收稿 日期 ：2011-11-04 课题来源：国家02重大专项(项 目编号：2009ZX02011-005A)。 万方数据 电 子 工 业 苣 用 设 苗 IC制造工艺与设备 载器指定位置，从而通过真空将硅片牢牢吸附在 2 硅片定位装载机构 承载器 内以便后续抛光 。因此，改善硅片定位装载 机构的结构和使用性能对提高承载器的吸片效果 目前大多数抛光设备均采用具有 定压 的 及降低装片过程 中的碎片率具有重要意义。 去离子水直接将硅片推 向承载器 内的办式米实现