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300 mm Si片加工及最新发展 300 mm Si Wafer Manufacture and New Development
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:
doi 103969/ jissn1003353x200912001
300 mm Si片加工及最新发展
库黎明,闫志瑞,索思卓,周旗钢
(北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司北京, )
100088
摘要: 及以下线宽对片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一
65 nm Si
个是加工工艺另一个是加工设备在加工方法上 线宽用 片不同于 如
, 。 ,65 nm 300 mm Si 90 nm,
运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层。
而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使片表面各
Si
点的去除量保持均匀对目前。 片的磨削抛光及清洗的每一道工艺流程特别是相对、 ,
300 mm Si
于 技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述指出了, 片加工工
65 nm 300 mm Si
艺的发展趋势。
关键词 片磨削抛光清洗
:300 mm Si ; ; ;
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN3051 A 1003353X 2009 12115304
300 mm Si Wafer Manufacture and New Development
, , ,
Ku Liming Yan Zhirui Suo Sizhuo Zhou Qigang
( , , , , )
GRINM Semiconductor Materials Co. Ltd. Beijing 100088 China
: ,
Abstract 65 nm and below node technology requires all the parameters of wafers more critically
, , ,
mainly reflected in two aspects one is processing method the other is the equipment. In the processing
, ,
65 nm width is differe
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