35 V47 μF固体钽电容器制备工艺的改进 Improvement of Production Process of 35 V47μF Solid-electrolyte Tantalum Capacitor.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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35 V47 μF固体钽电容器制备工艺的改进 Improvement of Production Process of 35 V47μF Solid-electrolyte Tantalum Capacitor

电子工艺技术第29卷第2期 ElectronicsProcess 2008年3月 Technology 漩工粼寐噜 35V47IjLF固体钽电容器制备工艺的改进刘勇刚，易金锋 (湖南湘怡电子有限公司，湖南株洲412004) V 摘要：研究了15000斗F·v／g钽粉在35471xF固体钽电容器上的应用，研究了压制密度和烧结温度对产品电性能的影响，并改进被膜工艺，研究了在硝酸锰溶液中添加硝酸铵对产品电性 030 能的影响。实验结果表明15 660℃，制 I．LFV／g钽粉的最佳压制密度为5．8∥cm3，最佳烧结温度为1 备的钽阳极块比容为13 膜过程中加入硝酸铵有效降低产品漏电流，提高了产品电性能的一致性。关键词：固体钽电容器；压制密度；烧结温度；电性能中图分类号：TN605 文献标识码：A ofProductionProcessof35 Improvement V47姆 Tantalum ．Solid—electrolyteCapacitor LIU Yong—gang，YIJing—feng Electronics 41 (HunanXiangyi Co，Ltd，Zhuzhou2004，China) V tantalum wasfabricated15 Abstract：35 47心solid electrolyticalcapacitor byusing000心·V／ characters tantalum effectof and Offtheelectrical g powder．The pressingdensitysinteringtemperature in were was andammoniumnitratewasusedasaadditive maganisingprocesschanged investigated．The nitrate electrical ofthe wasalso results solution，the performanceproducts investigated．The manganese thebest and is5．8 and1 660oC showthat pressingdensitysinteringtemperatureg／em3 respectively．The tantalumanodehasa of13