AlGaNGaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 High-Temperature Transport Properties of 2DEG in AlGaNGaN Heterostructures.pdfVIP

第27卷第?期 半导体学报 V01．27No。? 2006年7月 CHINESEJOURNALoFSEMICoNDUCToRS July，2006 A量GaN／GaN异质结构中二维电子气 的高温输运性质* 离眷雯1’’ 陶受奇1 陈 诚b3 孔月婵1 陈敦军1 沆 渡2 焦 剐3 陈堂胜3 张 荣1 郑有蚪 (1南京大学物理系，江苏省光电信息功能材料熏点实验燕，南京210093) (2北哀大学耪理学浣人王微结搀与分鼹携理国家熏点实骏室，戴窳lO∞71) (3南京电子器件研究所，南京210016) 摘鬻：采用高温HaIl测量仪对一个全应变和一个部分应变跑豫的舢GaN／GaN弊质结梅中2DEG的高温输运特 性进行了研究，温度变化范围从室温到680K．研究结果表明：在高濑段2DEG的迁移率主要受Lo声予散射限制； 在警温，异质界面处的菲均匀舔电极化场对2DEG迁移率的散射诫是一个主要的散射梳制．同时，计算结果箍示， 随藩温度升高，更多的电子跃迂到更高的子带，在更高的子带，其波函数逐渐扩展到础GaN层内部以及GaN体内 更深的位麓，导致Lo声予散射的羼蔽效应减溺盈来自AlGaN层肉懿合金无序散射增强． 关键词：AlGaN／GaN菇凌缝梭；二缀电子气；高滋输运 EEACC：2530B；2520D 孛溺分类警：TN304。2 交裁标谈鸫：A 文章编号：0253-4177{2006》07一125l-04 质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究，温度 l 引言 变化藏匿从室湿到680K．同爨尊，通过自洽地解蕊定 谔和泊松方程计算了AlGaN／GaN异质结构中 AlGaN／GaN舞质结梅是镧备高温、高频、大功2DEG的分布穰予带占据隧温度的变纯。 率电子器件优选的材料体系，它们在卫星、雷达和通 信等领域具衣禳大的应震潜力．因魏，近几年来，綦 2 实验 于AlGaN／GaN异质结构的高电子迁移率晶体管 (HEM誓)的研究撂蓟了飞速发展H~7】．其中，冒承受Al。．。Gao．sN／GaN异质结构榉蘸是采媚金属有 高工作温度是AlGaN／GaN优于AlGaAs／GaAs体 系的一个突出优点，僵由于蓝寰石衬底材料热导率 石村底上外延得剩。蕾先，488℃下在蓝宝石衬底上 较差，使得器件的自热效应非常严重，会导致高的沟 生长一层GaN缓冲层；然后柱1070℃下生长一层 道温度，从而降低了器件的可靠性．因此，器件能否 厚度为2鼙鹏的毒琴敌意掺杂的GaN层；最后，在 在高温下正常工作是AlGaN／GaN异质结构大功 率器件实用化过程中不可避免的问题．目前，已有不 少研究者对AlGaN／GaNHEMT在高温应力下的样1)和一个部分应变弛豫(试样2)样品[9]．用于 宜流和RF特性进行了详细研究R~8]，但就影响Al— GaN／GaN I{EMT性能的一个最重要的物理因 索——二维电子气(2DEG)在高温下的输运性质却 通过范德堡Hall测量得到，测试温度从室濑到 少有报道．了解2D嚣G的高温输运性质将对HEMT 680K． 的高温衰退行为的物理机制有更深的理解，以便采 玻更有效的攒麓来提高}董EMT的高瀑性熊． 准号：BK2003411)和国家高技术研究发展计划(批准蟹：2002AA305304)资助项目 卡通信作者．Email：woyan82@eyou．com 2005．09．02收到，2005，ll一24定稿 ⑥2006审鋈电予