AlGaNGaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 High-Temperature Transport Properties of 2DEG in AlGaNGaN Heterostructures.pdfVIP
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AlGaNGaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 High-Temperature Transport Properties of 2DEG in AlGaNGaN Heterostructures
第27卷第?期 半导体学报 V01.27No。?
2006年7月 CHINESEJOURNALoFSEMICoNDUCToRS July,2006
A量GaN/GaN异质结构中二维电子气
的高温输运性质*
离眷雯1’’ 陶受奇1 陈 诚b3 孔月婵1 陈敦军1 沆 渡2
焦 剐3 陈堂胜3 张 荣1 郑有蚪
(1南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料熏点实验燕,南京210093)
(2北哀大学耪理学浣人王微结搀与分鼹携理国家熏点实骏室,戴窳lO∞71)
(3南京电子器件研究所,南京210016)
摘鬻:采用高温HaIl测量仪对一个全应变和一个部分应变跑豫的舢GaN/GaN弊质结梅中2DEG的高温输运特
性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高濑段2DEG的迁移率主要受Lo声予散射限制;
在警温,异质界面处的菲均匀舔电极化场对2DEG迁移率的散射诫是一个主要的散射梳制.同时,计算结果箍示,
随藩温度升高,更多的电子跃迂到更高的子带,在更高的子带,其波函数逐渐扩展到础GaN层内部以及GaN体内
更深的位麓,导致Lo声予散射的羼蔽效应减溺盈来自AlGaN层肉懿合金无序散射增强.
关键词:AlGaN/GaN菇凌缝梭;二缀电子气;高滋输运
EEACC:2530B;2520D
孛溺分类警:TN304。2 交裁标谈鸫:A 文章编号:0253-4177{2006》07一125l-04
质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度
l 引言
变化藏匿从室湿到680K.同爨尊,通过自洽地解蕊定
谔和泊松方程计算了AlGaN/GaN异质结构中
AlGaN/GaN舞质结梅是镧备高温、高频、大功2DEG的分布穰予带占据隧温度的变纯。
率电子器件优选的材料体系,它们在卫星、雷达和通
信等领域具衣禳大的应震潜力.因魏,近几年来,綦 2 实验
于AlGaN/GaN异质结构的高电子迁移率晶体管
(HEM誓)的研究撂蓟了飞速发展H~7】.其中,冒承受Al。.。Gao.sN/GaN异质结构榉蘸是采媚金属有
高工作温度是AlGaN/GaN优于AlGaAs/GaAs体
系的一个突出优点,僵由于蓝寰石衬底材料热导率 石村底上外延得剩。蕾先,488℃下在蓝宝石衬底上
较差,使得器件的自热效应非常严重,会导致高的沟 生长一层GaN缓冲层;然后柱1070℃下生长一层
道温度,从而降低了器件的可靠性.因此,器件能否 厚度为2鼙鹏的毒琴敌意掺杂的GaN层;最后,在
在高温下正常工作是AlGaN/GaN异质结构大功
率器件实用化过程中不可避免的问题.目前,已有不
少研究者对AlGaN/GaNHEMT在高温应力下的样1)和一个部分应变弛豫(试样2)样品[9].用于
宜流和RF特性进行了详细研究R~8],但就影响Al—
GaN/GaN
I{EMT性能的一个最重要的物理因
索——二维电子气(2DEG)在高温下的输运性质却
通过范德堡Hall测量得到,测试温度从室濑到
少有报道.了解2D嚣G的高温输运性质将对HEMT
680K.
的高温衰退行为的物理机制有更深的理解,以便采
玻更有效的攒麓来提高}董EMT的高瀑性熊.
准号:BK2003411)和国家高技术研究发展计划(批准蟹:2002AA305304)资助项目
卡通信作者.Email:woyan82@eyou.com
2005.09.02收到,2005,ll一24定稿 ⑥2006审鋈电予
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