网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

AlInGaN量子阱垒层材料的优化 Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells.pdfVIP

AlInGaN量子阱垒层材料的优化 Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells.pdf

  1. 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
AlInGaN量子阱垒层材料的优化 Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells

第28卷第6期 半导体学报 V01.28No.6 CHINESEJOURNALOF 2007年6月 SEMICoNDUCToRS June,2007 AIInGaN量子阱垒层材料的优化* 文 锋1’’ 刘德明1 黄黎蓉2 (1华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉430074) (2华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉430074) 摘要:采用k·P方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解 了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AIInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形 成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AIInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影 响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法。并给予了 物理解释. 关键词:AIInGaN;极化电场;自发发射谱;垒材料 · PACC:7280E;7110C;7115J 中图分类号:TN304.23文献标识码:A 文章编号:0253.4177(2007)06.0893.05 料对量子阱的发光特性有何影响;(2)如何优化 1 引言 AIInGaN中各元素的组分,提高量子阱的发光强 度.作者首先选择了阱层材料相同但垒层材料不同 diode)具有节能、环保等 LED(1ightemitting 诸多优点,是公认的可以替代白炽灯的新一代照明 光源[1’2].目前白光LED的发光效率已超过50Ira/ 对象,计算对比了不同量子阱结构的内建势能分布、 W,如应用于日常照明仍需提高其发光效率.白光 电子空穴波函数和自发发射谱,确定了极化电场大 LED大多是由蓝光LED芯片涂敷YAG荧光粉得小对自发发射谱强度的重要影响.导带和价带能带 到,而目前蓝光LED芯片的效率并不高,因此提高 结构分别由抛物带模型和RSP模型求得,计算过程 白光LED的效率关键是提高蓝光LED芯片的效 中考虑了极化电场和载流子重新分布的影响,通过 率。 薛定谔方程和泊松方程联立自洽求解.继而又从极 III族氮化物较大的自发极化常数和压电极化 化电场的形成原理出发,综合考虑垒材料变化所引 常数导致的内建自发极化电场和压电极化电场,是 起的应变、势垒势能的变化对自发发射谱的影响,得 影响蓝光LED内量子效率的重要原因[3].通常的 到了优化AIlnGaN垒材料中各元素组分以提高量 蓝光量子阱LED采用lnGaN为阱层材料,GaN为子阱发光强度的途径. 垒层材料[.】.InGaN/GaN晶格失配较大,内建压电 极化电场也较大.而AIInGaN是一种四元化合物, 理模型 通过调整其中各元素的组分,可获得晶格常数与任 意x的In,Gal一,N匹配的量子阱.以AIInGaN为 导带和价带的能带结构需要通过求解薛定谔方 垒,可以减小压电极化电场,提高量子阱发光强度. 程获得.k·P方法理论是将薛定谔方程在k空间某 Zhang的实验【5]已经证明,InGaN/AIInGaN蓝光一特定的点展开,忽略远离这一点的与k相关的微 LED的光致发光强度高于InGaN/GaN和InGaN/

您可能关注的文档

文档评论(0)

hello118 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档