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AlInGaN量子阱垒层材料的优化 Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells
第28卷第6期 半导体学报 V01.28No.6
CHINESEJOURNALOF
2007年6月 SEMICoNDUCToRS June,2007
AIInGaN量子阱垒层材料的优化*
文 锋1’’ 刘德明1 黄黎蓉2
(1华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉430074)
(2华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉430074)
摘要:采用k·P方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解
了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AIInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形
成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AIInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影
响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法。并给予了
物理解释.
关键词:AIInGaN;极化电场;自发发射谱;垒材料
·
PACC:7280E;7110C;7115J
中图分类号:TN304.23文献标识码:A 文章编号:0253.4177(2007)06.0893.05
料对量子阱的发光特性有何影响;(2)如何优化
1 引言 AIInGaN中各元素的组分,提高量子阱的发光强
度.作者首先选择了阱层材料相同但垒层材料不同
diode)具有节能、环保等
LED(1ightemitting
诸多优点,是公认的可以替代白炽灯的新一代照明
光源[1’2].目前白光LED的发光效率已超过50Ira/ 对象,计算对比了不同量子阱结构的内建势能分布、
W,如应用于日常照明仍需提高其发光效率.白光 电子空穴波函数和自发发射谱,确定了极化电场大
LED大多是由蓝光LED芯片涂敷YAG荧光粉得小对自发发射谱强度的重要影响.导带和价带能带
到,而目前蓝光LED芯片的效率并不高,因此提高 结构分别由抛物带模型和RSP模型求得,计算过程
白光LED的效率关键是提高蓝光LED芯片的效
中考虑了极化电场和载流子重新分布的影响,通过
率。 薛定谔方程和泊松方程联立自洽求解.继而又从极
III族氮化物较大的自发极化常数和压电极化 化电场的形成原理出发,综合考虑垒材料变化所引
常数导致的内建自发极化电场和压电极化电场,是 起的应变、势垒势能的变化对自发发射谱的影响,得
影响蓝光LED内量子效率的重要原因[3].通常的
到了优化AIlnGaN垒材料中各元素组分以提高量
蓝光量子阱LED采用lnGaN为阱层材料,GaN为子阱发光强度的途径.
垒层材料[.】.InGaN/GaN晶格失配较大,内建压电
极化电场也较大.而AIInGaN是一种四元化合物, 理模型
通过调整其中各元素的组分,可获得晶格常数与任
意x的In,Gal一,N匹配的量子阱.以AIInGaN为
导带和价带的能带结构需要通过求解薛定谔方
垒,可以减小压电极化电场,提高量子阱发光强度. 程获得.k·P方法理论是将薛定谔方程在k空间某
Zhang的实验【5]已经证明,InGaN/AIInGaN蓝光一特定的点展开,忽略远离这一点的与k相关的微
LED的光致发光强度高于InGaN/GaN和InGaN/
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