AlInGaN量子阱垒层材料的优化 Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells.pdfVIP

第28卷第6期 半导体学报 V01．28No．6 CHINESEJOURNALOF 2007年6月 SEMICoNDUCToRS June，2007 AIInGaN量子阱垒层材料的优化* 文 锋1’’ 刘德明1 黄黎蓉2 (1华中科技大学光电子科学与工程学院，武汉430074) (2华中科技大学武汉光电国家实验室，武汉430074) 摘要：采用k·P方法理论，考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素，通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解 了不同量子阱结构的自发发射谱．分析对比发现AIInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形 成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响．以AIInGaN为垒，优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影 响，提高量子阱自发发射谱强度．同时，综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响，提出了具体的优化方法。并给予了 物理解释． 关键词：AIInGaN；极化电场；自发发射谱；垒材料 · PACC：7280E；7110C；7115J 中图分类号：TN304．23文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)06．0893．05 料对量子阱的发光特性有何影响；(2)如何优化 1 引言 AIInGaN中各元素的组分，提高量子阱的发光强 度．作者首先选择了阱层材料相同但垒层材料不同 diode)具有节能、环保等 LED(1ightemitting 诸多优点，是公认的可以替代白炽灯的新一代照明 光源[1’2]．目前白光LED的发光效率已超过50Ira／ 对象，计算对比了不同量子阱结构的内建势能分布、 W，如应用于日常照明仍需提高其发光效率．白光 电子空穴波函数和自发发射谱，确定了极化电场大 LED大多是由蓝光LED芯片涂敷YAG荧光粉得小对自发发射谱强度的重要影响．导带和价带能带 到，而目前蓝光LED芯片的效率并不高，因此提高 结构分别由抛物带模型和RSP模型求得，计算过程 白光LED的效率关键是提高蓝光LED芯片的效 中考虑了极化电场和载流子重新分布的影响，通过 率。 薛定谔方程和泊松方程联立自洽求解．继而又从极 III族氮化物较大的自发极化常数和压电极化 化电场的形成原理出发，综合考虑垒材料变化所引 常数导致的内建自发极化电场和压电极化电场，是 起的应变、势垒势能的变化对自发发射谱的影响，得 影响蓝光LED内量子效率的重要原因[3]．通常的 到了优化AIlnGaN垒材料中各元素组分以提高量 蓝光量子阱LED采用lnGaN为阱层材料，GaN为子阱发光强度的途径． 垒层材料[．】．InGaN／GaN晶格失配较大，内建压电 极化电场也较大．而AIInGaN是一种四元化合物， 理模型 通过调整其中各元素的组分，可获得晶格常数与任 意x的In，Gal一，N匹配的量子阱．以AIInGaN为 导带和价带的能带结构需要通过求解薛定谔方 垒，可以减小压电极化电场，提高量子阱发光强度． 程获得．k·P方法理论是将薛定谔方程在k空间某 Zhang的实验【5]已经证明，InGaN／AIInGaN蓝光一特定的点展开，忽略远离这一点的与k相关的微 LED的光致发光强度高于InGaN／GaN和InGaN／