Al在生长InGaN材料中的表面活化效应 Effect of Al Surfactant in the Growth of InGaN.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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Al在生长InGaN材料中的表面活化效应 Effect of Al Surfactant in the Growth of InGaN

技术专栏 Technolo盱Column AI在生长lnGaN材料中的表面活化效应袁凤坡，尹甲运，刘波，梁栋，冯志宏 (河北半导体研究所，专用集成电路国家级重点实验室，石家庄050051) 摘要：为了解决材料的界面平整度，改善材料的晶体质量，在Ⅲ．V族氮化物(InGaN)材料的生长过程中，加入了Al掺杂剂。实验发现，InGaN材料的双晶衍射半宽从533a11csec(非掺A1) 下降到399 arcsec(轻掺A1)，PL光谱半宽变窄，从21．4nm(非掺A1)降为20．9nm(轻掺A1)。和器件质量带来积极影响，目前还没有相关的文献报道。关键词：金属有机物化学汽相淀积；氮化镓；铟镓氮；铝活性剂中图分类号：TN304．054文献标识码：A EffectofAlSurfactantintheGrowthofInGaN Yuan Yin Liu Fengpo， Jiayun， Bo，LiangDong，FengZhihong (胁妊＆m如。蒯删or R邯e口砌胁捌￡姚，№如胁z研眈6．o，A刚c，s矗批曲阮ng050051，吼i抛) Abstract： wasusedinthe ofInGaNto itsintedlaceandthe Al—doping gmwth improve quality erystalline resultsshowthatthefuUwidthathalf is quality．Theexperimental maximum(F彬硼z)ofXRD(002) arcsecfor athalf 399 InGaN， the533arcsec InGaN．ThefuU访dth slightAl—doped comparedⅥdth undoped is20．9nmfor InGaN withthe ma撕mum(F彤mz)of (PL) photoluminescence slightA1·doped compa代d 21．4nm InGaN．As A1enhancestheInGaN which efkct undoped surfactant， qualitygreatly， bringspositive of multi onthe LED，LD wellandthedevice thereisnorelevant onit． improVement quanta quality， repons 8urfactant MOCVD；GaN；InGaN；A1 Key、)．的rds： EEACC：2520D 0 引言面活性研究，发现可以提高AlN／GaN多量子阱的随着Ⅲ．V族氮化物的发展，InGaN材料的应用越来越广泛。由于InGaN材料是直接带隙，带隙从 O．7。3．4eV变化，可应用在发光二极管(LED)、 HEMT的迁移率。研究小组