Bi取代NiCuZn铁氧体的显微结构和电磁性能 Microstructure and electromagnetic properties of Bi-substituted NiCuZn ferrites.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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Bi取代NiCuZn铁氧体的显微结构和电磁性能 Microstructure and electromagnetic properties of Bi-substituted NiCuZn ferrites.pdf

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Bi取代NiCuZn铁氧体的显微结构和电磁性能 Microstructure and electromagnetic properties of Bi-substituted NiCuZn ferrites

Bi取代NiCuZn铁氧体的显微结构和电磁性能吴小虎，于翔海，徐磊，贾利军，张怀武 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 铁氧体材料，研究了在900℃低温烧结下Bi取代和Bi掺杂对NiCuZn铁氧体材料的显微结构、电磁性能的影响。且Bi取代NiCuZn铁氧体材料的致密性和均匀性优于Bi掺杂铁氧体材料，同时拥有更低的磁心损耗。关键词：NiCuzn铁氧体材料；Bi取代；显微结构：电磁性能中图分类号：TM277．1 文献标识码：B 文章编号：1001—3830(2012)01．0068．03 Microstructureand of electromagneticproperties Bi．substitutedNiCuZnferrites WU Huai·Wll Xiao-hu，YUXiang—hai，XULei，JIALi-jun，ZHANG State ThinFilmsand KeyLaboratoryofElectronic IntegratedDevices,Universityof ElectronicScienceand 610054，China Technology,Chengdu and content NiCuZnfcrrire8were solid-state Abstract：Bi-substitutedsame Bi—doped preparedby reaction method．TheeffectofBi．substitutionand onthemicrostucturesand were electromagnetic Bi-doping propertied 152andl was for resultsshowedthatinitial of 48 obtainedNiCuZnferritematerialswith investigated．The permeability substitutionand Bi-substitutedNiC位Ⅺferritehasbetterdensificationand Bi203 Bi203doping．respectively．T11e andlowercore lossthan one． unifermity power Bi201doped Kevwords：NiCuZn microstructure ferrites；Bi．substitution；electromagneticproperties；言，在低频高场下(篚50kHz)其传输功率因磁心饱 1引言和磁感应强度而受到限制，在高频弱场F(f2_lMHz) 近些年来，电子通讯技术、各类计算机、LCD 其传输功率因磁心过热导致损耗快速增加而不能正背光电源驱动模块以及液晶显示系统需求剧增，越来越依赖小型