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2017-08-12 发布于上海
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CMP后的晶圆清洗过程研究 Study on Post-CMP Clean Process.pdf

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CMP后的晶圆清洗过程研究 Study on Post-CMP Clean Process

电子工业专 !竺孽圈 ·CMP与清洗·—— CM P后的晶圆清洗过程研究张伟锋，周国安，詹阳 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊101601) 摘要：伴随着整个CMP工艺的进步。CMP后清洗工艺技术也日趋关键。分析了引起缺陷和玷污的因素、微粒去除的理论研究以及清洗的方案：在清洗方案中详细论述了机械去除、化学湿法去除和兆声去除；最后指出了新的技术及发展趋势。关键词：CMP；zeta电位；后清洗；兆声清洗中图分类号：TN305．97 文献标识码：A on Process Post-CMPClean Study ZHANG Guo-an，ZHAN Wei-feng，ZHOU Yang 45thResearchInstituteofCETC，East (The 101601，China) Yanjiao，Beijing Abstract：The is aswhoseCMP focus technology post—CMP important process’Sdeveloping．Thepaper onnarratethefactors defectsandcontamination、theof andcontaminantremoval causing theoryparticle and for includebrush mechanism、chemicalwet and processpost—CMPclean，which scrubbing cleaning the acoustic thenwe outthenew andthetrend． megasoniccleaning．Andpoint technology acoustic Keywords：CMP；Zeta--potential；Post··CMPclean；Megasoniccleaning 1 引言 2 引起缺陷和玷污的因素分析由于抛光片的分界面化学反应和研磨微粒的在绝缘介质层(ILD)面和金属层的CMP工艺 mechanical 存在，在CMP(chemicalplanarization)工中，表面缺陷和玷污必然会出现。这些缺陷和玷污艺中，必然会引入表面缺陷和玷污。在晶片表面全或者是物理性的，或者是基于化学性的。微粒缺陷局平坦化以后，必须进行有效的清洗来实现CMP 主要是由于抛光过程中产生的微粒粘着在晶片表工艺的优点。为了确保得到进一步金属化所需要的面造成的，这些微粒来源于抛光垫或抛光液。刮伤无缺陷无玷污晶片表面，CMP后清洗工艺是必需步骤。 (residual 收稿日期：2008．04．16 作者简介：张伟锋(1975-)，男，陕西武功人，工程师，现主要从事半导体设备研发工作。万方数据电子工业专用设备