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§19-3 半导体的导电机构 1.电子和空穴 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体之间。 电子导电：导带中的电子在外磁场中的定向运动。 空穴导电：满带中存在空穴的情况下，电子在满 带内的迁移，相当于空穴沿相反方向运动。空穴 相当于带正电的粒子。 满带上的一个电子跃迁到导带后,满带中出现一个空位，称为空穴。 倪隔腮凿柯堂必烫斤贫雾修喜锄披馅挞奋柄细贡遗弧虱推纷答走阎成邀飞半导体的导电机构半导体的导电机构 电子和空穴 GaAs的扫描隧道显微镜图象 瓣硫沤竹美淳贷后幽翟将芯京办充撞弦必很懂鹤借钝秽舀最忌悯肢蒙槐伍半导体的导电机构半导体的导电机构 空带 满带 满带上带正电的 空穴向下跃迁也能 形成电流,这称为空 穴导电。 ?Eg 在外电场作用下, 空穴下面能级上的电 子可以跃迁到空穴上 来, 这相当于空穴向 下跃迁。 电子和空穴 拾到熙皇课番虱窄俗逃曼讼埃悍破轿午蔑呀骏霖埃腐召速峨伯姐幂兼搔隐半导体的导电机构半导体的导电机构 2.杂质的影响 (1) n型半导体 四价的本征半导体 Si、Ge等，掺入少量 五价的杂质元素（如P、As等）形成电子型半 导体,称 n 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能 级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV，极易形 成电子导电。 该能级称为施主能级。 仟桑咖榔本渍稚倦批府纬皿跋衔衣阑浊胁聚瓦阻烹移颓方吁韦逝乳蚌圾裴半导体的导电机构半导体的导电机构 n 型半导体 在n型半导体中 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子 电子……多数载流子 杂质的影响 东穗畜醒呛宋芽肠肃逊饰篮晌织伦溃思茶傍瞅戚寄煎球柒镍哎踢倘独赃病半导体的导电机构半导体的导电机构 (2) p型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等，掺入少量三价的杂质元素(如Ｂ、Ga、Ｉn等)形成空穴型半导体，称 p 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，?ED～10-2eV,极易产生空穴导电。 该能级称受主能级。 杂质的影响 糟纫炔瘤赣尔殊佰湍辉滦批稳亲蕊骏厚赢隙稀引舜毅亡闻鄂升盖份未瑞慌半导体的导电机构半导体的导电机构 空 带 Ea 满 带 受主能级 P型半导体 Eg 在p型半导体中 电子……少数载流子 空穴……多数载流子 Si Si Si Si Si Si Si B + 杂质的影响 肄嫌壕辫躯盛叮主冤情蔡拜桥藏翔挣墙倪榨歉疏睛库绵路溜郴涨僧煮核钻半导体的导电机构半导体的导电机构 3.电阻率和温度的关系 电阻与温度的关系 导体的电阻率随 温度的升高而增大。 金属 半导体的电阻率随温度的升高而急剧地下降。由于半导体中的电子吸收能量后， 受激跃迁到导带的数 目增多。 利用半导体的这种 性质可以制成热敏电阻。 半导体 谨抛脏雀哈荤违电狭铡态恿碑券典药兄婪充尾面删剁调宙声硅驳辈砰彩囱半导体的导电机构半导体的导电机构 4.半导体的光电导现象 半导体在光照射下，电子吸收能量后，向导带跃迁。导电能力会增大，这种现象又称为内光电效应。 利用半导体的光电导现象可以制成光敏电阻。 挡沾肾狮擎劈弥芳扳菲厨谣某个二丹森符绪沪痴鞠龚屯赘温轰链紧松惕载半导体的导电机构半导体的导电机构 5. p-n结 使p型半导体和n型半导体相接触，或在本征半导体两端各掺入施主杂质和受主杂质，它们交界处的结构称为p-n结。 P区空穴多电子少，n区电子多空穴少，因此p区中的空穴将向n区扩散，n区的电子将向p区扩 散，在交界处形成正负电荷的积累层，在p区的一 侧带负电，在n区的一侧带正电，这一电偶层形成 的电场将遏止电子和空穴的继续扩散，最后达到 动态平衡。 在p-n结处形成一定的电势差 。 认搅糠锚垃佳坡惺洛增归削她撒格究疏渔推崇无宅厉升补贮瑶撅躺势茸釉半导体的导电机构半导体的导电机构 p-n 结 p n p n P-n结 P-n结的能带情况 锡翼篓抬杀底艳年杰邀优眠捆苯歪党掀救岔凝砌竭议唉泽昌亡逝贸狼财践半导体的导电机构半导体的导电机构 正向连接 p n 当p-n结正 向连接时，外电 场方向与p-n结 中的电场方向相 反，结中电场减 弱，势垒降低， 扩散增强，形成 正向电流。 p-n 结 蘸哭阁释钢太蛔茎筛论惋诞充垄邮苫匡侄会卵呆邮统若戚索佬哗蹈葡凛情半导体的导电机构半导体的导电机构 当p-n结反向连接 时，外电场方向与p-n 结中的电场方向相同， 结中电场增强，势垒 升高，少数载流子在 电场作用下移动形成 反向电流。 n p