Cu引线框架氧化对功率器件中CuEMC界面的影响 Effect of Cu Lead-Frame Oxidation Time on CuEMC Interfaces in Power Devices.pdfVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１００２０１１ 引线框架氧化对功率器件中 界面的影响 Ｃｕ Ｃｕ／ ＥＭＣ １ １ １ １ ２ 方行，方强，王，俞宏坤，邵雪峰 （ 复旦大学材料科学系，上海 ； 苏州快捷半导体公司，江苏苏州 ） １ ２００４３３ ２ ２１５０２１ 摘要：按照实际制作器件的工艺条件和方法，采用不同的 引线框架氧化时间，制备了多 Ｃｕ ， 。 组无芯片的封装器件并打磨 界面的样品然后对样品进行了剪切实验和界面微观结构 Ｃｕ／ ＥＭＣ 观察。剪切实验发现，适当的 预氧化时间能有效提高 界面强度。 界面的 Ｃｕ Ｃｕ／ ＥＭＣ Ｃｕ／ ＥＭＣ 照片显示 的氧化时间使界面产生了大量不同形状的氧化物颗粒断裂沿 氧化层 ＳＥＭ ，１５０ ｍｉｎ ， Ｃｕ 或 过渡层发生，导致界面剪切强度离散。考虑到 氧化对 界面的影响及工艺成 ＥＭＣ Ｃｕ Ｃｕ／ ＥＭＣ 本，氧化时间范围为 下 。 １６５ ℃ ８～１２ ｍｉｎ 关键词：铜环氧模塑料界面；氧化；功率器件；剪切强度／ ： ： ： （ ） 中图分类号 文献标识码 文章编号 ＴＮ４０６ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０２０１４２０４ Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ Ｃｕ ＬｅａｄＦｒａｍｅ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ ｏｎ Ｃｕ／ ＥＭＣ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ ｉｎ Ｐｏｗｅｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ １ １ １ １ ２ ， ， ， ， Ｆａｎｇ Ｘｉｎｇ Ｆａｎｇ Ｑｉａｎｇ Ｗａｎｇ Ｊｕｎ Ｙｕ Ｈｏｎｇｋｕｎ Ｓｈａｏ Ｘｕｅｆｅｎｇ （ ， ， ， ； １Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｕｄａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｓｈａｎｇｈａｉ ２００４３３ Ｃｈｉｎａ （ ） ， ， ， ） ２Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｕｚｈｏｕ Ｃｏ Ｌｔｄ． Ｓｕｚｈｏｕ