HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性能和效率 Performance and Effectiveness of UniFETTM II MOSFET in HID Lamp Ballast.pdfVIP

下载本文档

1
0
约 6页
2017-08-12 发布于上海
举报
版权申诉

HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性能和效率 Performance and Effectiveness of UniFETTM II MOSFET in HID Lamp Ballast.pdf

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性能和效率 Performance and Effectiveness of UniFETTM II MOSFET in HID Lamp Ballast

技术专题智能电源管理责任编辑：李健 S p e c i a l R e p o r t HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性能和效率 Performance and Effectiveness of UniFETTM II MOSFET in HID Lamp Ballast 1 1 2 3 Jae-Eul Yeon Won-Hwa Lee Kyu-Min Cho Hee-Jun Kim 1. 韩国富川市飞兆半导体韩国分公司HVPCIA部门消费电子电源系统团队；2. 韩国富川市柳韩大学信息与通信工程系 3. 韩国安山市汉阳大学电子与计算机工程学院以进行深入寿命控制而另一方面摘要：先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通制造平面M OSFET只需采用一个外延电阻和反向恢复性能。本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM 层即可从而很容易进行深入寿命控 II MOSFET—具有显著提高的体二极管特性，另外还介绍了其性能和效制因此可大幅提升平面MOSFET 率。根据寿命控制的集中程度，UniFET II MOSFET可分为普通FET、的体二极管反向恢复性能以防出现 FRFET和Ultra FRFET MOSFET，其反向恢复时间分别为传统MOSFET MOSFET故障[8] 的70%、25%和15%左右。为了验证全新MOSFET的性能和效率，用带混 [9- 12 ] 据报道在先前的操作中频逆变器的150 W HID灯镇流器进行了实验。结果证明，两个UniFET II M O SF E T 故障是由双极结型晶体管 MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD，并且无MOSFET故障。 (BJ T )和nM OS 的误导通以及反向恢复模式下体二极管的dv /dt 较高所造关键词： UniFET II；FRFET；Ultra FRFET；MOSFET故障；混频逆变器成的这三种类型的M OSFET 故障和HID镇流器