InP胶体量子点的合成及光谱性质 Synthesis and Spectral Properties of InP Colloidal Quantum Dots.pdfVIP

第27卷第7期 半导体学报 V01．27No．7 2006年7只 C}至lNESEJoURNALoFSE轰《ICoNDUCToRS July，2006 薹nP胶体量子点的合成及光谱性质* 张道礼’ 张建兵 吴启明 袁 林 陈 胜 华率科技大学彀子科学与技术系，武汉430074) 体燕予点。其中，Topo既绍先及应溶翔又作爽量子点懿包覆剂帮稳定剩，在反应惑期搬入卡二黢终必表露活性 剂。剥爆粉末X射线衡射仪及透射电子显微铙测基了量子点的结熬蛙、晶牾缕梅、晶粒|跫寸、表露形貔以及晶粒足 寸分布，利用光致发光(PL)光谱仪洳紫外可见分光光度计分析了其光学性质．测试结果显示，量子点具套较好的结 晶性及一定的尺寸分布，平均直径为2．5nm，标准偏差为7．4％，表现出明湿的量子限制效应。 ～ 关键词：InP；胶体量子点；纳米晶；量子限制效应 EEACC：2520D；4220 中豳分类号：TN304．2+3文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2006)07-1213-04 1 引言 InAs量子点，其量子点平均高度为2。5nm，基底平 对于纳米科技的发展，纳米材料起着关键的推 (100)衬底上生长了发光波长在1．3“m的线状空间 动侔用。半导体量子点是一种典型而且非常重要的 规则排列InAs量子点．然而，对于胶体化学法的研 纳米材料，是纳米电子学研究的基础．所谓半导体量 究却少有报道． 子点，直观地说就是半导体材料的尺度在三维方向 本文尝试采用胶体化学法，以TOP0作为溶 上都达到了纳米范阑，也可以称为纳米晶体阻]。当半 导体材料的尺寸达到纳米尺度后，材料中的载流子 烷基反应，以十二胺作为表面活性剂，合成InP胶体 将被限制于一个很小的范围，能量将发生量子化，对 量子点口j．其中ToPO的存在非常关键，它不仅是 于纳米晶体来说，载流子在三个方向均受到限制，所 反应溶剂，还是胶体稳定剂，防止量子点过分长大以 以表现出非常明显的量子化效应，这也是称之淹量 及防止量子点团聚，同时它还作为表面活性剂消除 子点的原因。 量子点表面的陷阱态并使量子点溶于各种有机溶 人们已经发展了两釉完全不同的制备半导体量 剂+加入十二胺的且的是为了它与TOPo共同作 子点的途径[2】：一种是“自上丽下”(top．down)的方用，更好地包覆量子点表匿。反应完成后，得到的只 法，即利用先进的薄膜生长技术，如CVD，MBE等是粗量子点，即里面包含有反应剽产物及大小不一 并结合光刻、腐蚀等超微缨加工技术，减小固体维度 的量子点，力了提纯量子点及窄化量子点的尺寸分 和尺寸来制备量子点；另一种是“自下藤上”(bot—布，必须进行选择性分离操作。这一步骤完成詹最终 tom．up)的方法，即通过化学合成和组装或物理气霉导到的是枣ToPo和十二胺包覆的溶予甲苯的尺 摆沉积，把原子或分子组合成量子点[3]。{l誊一种途径寸分布均匀的量子点胶体溶液。 因受到超微缨加王工艺的限制应用得比较少，第二 种途径中研究的较必广泛的制备技本主要有胶体化 2 实验 学法、金属有机物化学气攘撬积(MoCV◇)、分子柬 外延(MB嚣)、愿子层外延(A毛E)以及低燕化学气榻 2．1 Inp胶体量子点的合成 泼积(LpcVD)等．在这些方法中，胶体化学法有着 翳显的优点H]． (1)爱应物的称取。在通有氩气的干燥手套箱 墨前，国内研究得比较多的制备量子点的方法 有MoCVD和MB嚣。如龚谦等人[52利用M8E技术Po)，将它们混合予三颈烧瓶中．籍注射器量取 *霆