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LCoS投影显示现状与我国LCoS产业的发展
≈
专家坐堂i新显示时代
2007年4月30日至5月1日中共S订icon,LCoS)投影技术是在LCD技术光学元件,如汞弧灯、照明系统、棱镜、背
中央总书记、国家主席、中央军委主席胡 与数字微镜晶片(DMD)技术的基础上发投屏幕和投影镜头都大幅地提高了性
锦涛到河南省看望干部群众,在河南中 展而来,它与LCD有许多相同之处。例能,并降低了成本。此外,业界还推出了
光学集团公司南方辉煌图像信息技术有 如,两者的成像器件工作时都必须用偏 成熟的影像缩放、去隔行扫描、视频变换
限公司看望一线职工时,胡锦涛主席对 振光,都利用加在像素上的信号电压作 等数字电视所需要的视频处理Ic,及用
随行的国家发改委副主任朱之鑫说:“电 用改变像素中液晶分子的排列,从而调 于支持数字电视格式以及编码和传输标
视产业是个重要产业,在液晶平板技术 制液晶层的光通量。但是LCoS投影技术准的调谐器、解调器和解码器,这些都让
上,我们缺乏核心技术,在LCoS方面要是反射式,而LCD是透射式,因此LCoSLCoS尽快成熟起来,目前LCoS具有很多
迎头赶上。我们要超前一点、看远一点, 投影技术又比LCD投影技术有明显的优 的优势,例如:
不要老跟在人家后头。我们要大力支持 点,例如分辨力高、亮度高、对比度高等。 1)光利用效率高:成像光利用效率
这种具有创新性技术的产业。” 1.2 LCoS基本结构 可达40%以上,而穿透式LCD仅有3%-10%。
胡锦涛主席关于发展LCoS投影产 LCoS属于新型的反射式LCD投影技2)体积小:LCoS可将驱动IC等外
业的指示是符合我国发展大屏幕显示技 术,其结构是在硅片上用半导体工艺制 围线路完全整合至CMOS基板上,减少外
术国情的。在现阶段,应该发展我国具有 作驱动电路,然后研磨单晶硅片,并镀铝 围IC的数目及封装成本,并使体积缩小。
优势、投资少、见效快、在技术上能有自 (作为反射镜)形成CMOS基板,然后将 3)分辨力高:由于LCoS的驱动线
主创新的大屏幕显示产业。例如,LCoS投CMOS基板与含有透明电极的上玻璃基板路都制作于硅基板内,位于反射面之下,
影产业既是高新科技产业,又是劳动密 贴合,再注入液晶,进行封装测试。在单 不占表面面积,所以仅有像素间隙占用
集型产业,全球没有一家投影显示设备 晶硅片上集成CMOS和存储电容器的阵开口面积,不像穿透式LCD的TFT及导
企业的生产是自动化的,而劳动力在我 列,通过开孔把漏电极和像素电极连接, 线皆占用开口面积,故理论上LCoS不论
国具有优势;加之我国光学零件制造能 像素电极用铝做成反射电极,为防止强 开口率或分辨力都会比穿透式LCD高。
力很强;近年来我国微电子工业发展很 光照射沟道,还要加一层金属挡光层。另 920×1
分辨力普遍达到1 080以上。制
快,为生产LCoS打下了坚实基础;同时一侧基板是ITO电极的玻璃板,液晶层造技术成熟:LCoS的制作可分为前道的
我国介入LCoS投影产业较早、配套产业厚一般为几微米。如图I所示。 半导体CMOS制造及后道液晶成像器件
链已初步形成,各企业培养了一批技术 的贴合封装制造。前道的半导体CMOS制
人才。“没有重点,就没有政策”,只有将 造已有成熟的设计、仿真、制作及测试技
LCoS投影产业列为重点,才会制定出一 术,所以目前成品率已可达90%以上,成
系列发展政策。 本低廉;至于后道液晶成像器件的贴合
为了积极认真地贯彻胡锦涛主席指
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