LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计 Design of Biasing Circuit Applicable for Minimizing Thermal Effect of LDMOS RF Power Amplifier.pdfVIP

下载本文档

56
0
约 3页
2017-08-12 发布于上海
举报
版权申诉

LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计 Design of Biasing Circuit Applicable for Minimizing Thermal Effect of LDMOS RF Power Amplifier.pdf

1、本文档共3页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计 Design of Biasing Circuit Applicable for Minimizing Thermal Effect of LDMOS RF Power Amplifier

第27卷第6期电子工艺技术 ElectronicsProcess 2006年11月 Technolog)r LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计冯永生，刘元安 (北京邮电大学，北京100088) 应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计。实验结果验证了偏置电路的仿真设计方法的有效性。关键词：LDMOS；温度特性；功率放大器；偏置电路中图分类号：TN72 文献标识码：A of Circuit for DesignBiasing ApplicableMinimizing The册alE圩bctofLDMoSRFPower Amplifier FENG Yong—sheng，珊Y咖一锄+ ofPostsand (Be置jingUIliVe商ty Tele∞础muIlicatio璐，Be硒ing100088，Clli腑) the瑚aleffectofLDMOS its thebasisof Abstract：The poweramplifiersdepriVespe舶珊ances．On the effbctsmodelofLDMOS andsimulatea of circuitminimi— self—heating FET，analyze designbiasing the珊a1 resuhs of zing effect．Finally，tlleexp碰mentVe曲theValiditydesign． circut keywords：LDMOS；Temperaturech嘲cteristic；Poweramplifier；Biasing Doc嘲ent Anide Code：A m：1001—3474(2006)06一0333一03 第三代移动通信和数字电视广播等宽带无线系 LDMOS模型描述¨以J。MET 统的迅速发展，对射频功率放大器性能提出了更严信号非线性经验模型，模型考虑了晶体管的自热效格的要求。LDMOS场效应管以其在效率、线性和增应能够精确描述，一∥特性曲线以及漏极电流随温 ADs谐益等方面的优良特性，使其日益成为射频功率放大度变化的电热特性。该模型已经在Agilent 器的首选器件。LDM0s场效应管的自热效应会导波平衡仿真器中实现，可用于完成小信号、大信号、致静态工作电流的漂移，从而对放大器的互调性能谐波平衡、噪声和瞬态仿真。MET 产生很大影响。偏置电路的设计目的就是保持静态信号等效电路如图1所示。工作电流的恒定。图2描述了漏源电压U出=28V，散热器温度分本文介绍了FreescaleLDMOS场效应管的自热效应模型，以MR砣1125LDMOS场效应管功率放大与栅源电压u。。之间的