P-Si TFTs带间隧穿电流的建模研究 Modeling of the Band-to-Band Tunneling Current in P-Si TFTs.pdfVIP

电子产品可靠性与环境试验 …■■■…●…■… V01．26No．3Jun，．2008 可靠性物理与失效分析技市 ●■一‘l■… P—Si TFTs带间隧穿电流的建模研究 李树花．李斌 (华南理工大学微电子研究所，广东广州510640) 摘 ’I耵电流特性的影响，总结了关于P-Si耵T带间隧穿效应的研究现状，并提出建立更为完善的BBT电流模型的 建模思路。 关键词：多晶硅薄膜晶体管；带间隧穿；建模 中图分类号：TN325+．2文献标识码：A oftheBand-to-BandCurrentin Modeling Tunneling TFTs P