p-GaN与ITO欧姆接触的研究 Research of Indium-Tin-Oxide Ohmic Contact to p-GaN.pdfVIP

DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．05．010 p—GaN与ITO欧姆接触的研究 甄珍珍1，杨瑞霞2，王静辉2 (1．河北工业大学信息工程学院，天津300401； 2．河北同辉电子科技股份有限公司，河北鹿泉050200) 摘要：针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究，尝试找 出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极 ITO薄膜应用于CaN基发光二极管，来增加电流扩展，减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻，降低 GaN基 LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218pLm×363“m 发光二极管LED，分析其在20mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化，在优化条件 下制得的蓝光LED在直流电流20mA下的正向电压3．23V，光输出效率为23．25Ⅲw。 关键词：氧化铟锡；透明导电薄膜；P型氮化镓；欧姆接触；发光二极管 中图分类号：TN31Z 文献标识码：A 8；TN304．23 文章编号：1003—353X(2012)05—037l—04 ResearchofIndium-Tin-OxideOhmicContacttoP-GaN Zhen Zhenzhenl，YangRuixial，WangJinghui2 (1．SchoolofInformation，tfebeiUniversity 300401，China； oyTechnology，Tia研n 2．Hebei Electronics Tonghui TechnologyCo．，删．，Luquan050200，China) inthe Abstract：Thecontact of andITOthinfilm GaN--basedblue propertiesp-GaN light--emitting studiedtosearchthe conditions．ITOfilms with diodes(LEDs)were optimizedprocess prepared different thicknessesand wereusedintheGaN—basedLEDsandthe flow，ITO annealing 02 temperatures LEDs enhancethe wastoincreasethecurrent theforward of and purpose expansion，reduce voltage ITOfilmwasusedforthe218 x363 blue I-V diodes，the brightness．The Irm p,m light—emitting characteri