PHEMT器件界面态分析方法综述 Interface State Analysis Method of PHEMT.pdfVIP

电子产品可靠性与环境试验 V01．26 可靠性物理与失效分析技市 No．3．Inn．，2008 ■一一_q●■_●il二——l—r■-●■^●■J—■■-^●●- PHEMT器件界面态分析方法综述 张鹏1一，黄云2，李斌1 (1．华南理工大学物理科学与技术学院，广东广州510641； 2．信息产业部电子第五研究所。广东 广州 510610) 摘 要：介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构，并主要从直流特性、击穿电压和栅延时 等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响，总结了界面态分析方法．包括：通过沟道峰值电场和碰撞电离率 来研究界面态的密度；二维量子模型模拟法的应用；根据跨导随频率变化的规律来测量界面态的密度。 关键词：高电子迁移率场效应晶体管；砷化镓器件；界面态 中图分类号：TN386 文献标识码：A InterfaceState MethodofPHEMT Analysis ZHANG Binl Pen91一，HUANGYun2，LI Scienceand ofSouthChina of 51 (1．Physical Technology UniversityTechnology，Guangzhou0640， 510610，China) China；2．CEPREI，Guangzhou structureofPHEMTiSdescribed．TheeffectoftheinterfacestateonaPHEMTiS Abstract：The intermsoftheDC and characteristics，breakdown presentedprimarily voltagegate-delay．Some methodsarealso therelationbetweenthe ionizationandthe analysis introduced，including impact maxelectric simulationbasedOffthe2D theinternaltrans— field；the model；and quanta conductance(gm)frequencydispersion． state words：PHEMT；GaAs；interface Key 1 引言 将要求不断开发新型的半导体材料、器件结构和工 艺技术，以满足新一代军用微波系统的需求。 微波、毫米波器件与电路在军事电子领域中占 目前国内对GaAs器件的研究．尤其是有关界 有重要的地位。军用微波系统的高集成度、高可靠