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钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究-液晶与显示
第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ,
27 4 Vol.27No.4
年 月 ,
2012 8 ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas Au.2012
q y p y g
文章编号: ( )
10072780201204049306
钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究
李田生,谢振宇,张文余,阎长江,徐少颖,陈 旭,闵泰烨,苏顺康
(北京京东方光电科技有限公司,北京 , : )
100176Emaillitianshen boe.com.cn
g@
摘 要:为了适应 TFTLCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增
加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层( )的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极
PVX
与漏极的过孔( )尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、
VIA
顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低
的优化方案,并对其进行了电学性能评价( :开态电流、 :关态电流、 :阈值电压、 :
20% 30% 犐 犐 犞 Mobilit
~ on off th y
迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质。
关 键 词:钝化层;刻蚀;过孔
中图分类号: 文献标识码: : /
TN141.9 A 犇犗犐 10.3788YJYX0493
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