霍尔效应试验论文.DOC

霍尔效应实验论文 梁红军 机械系车辆（一）班 100102123 摘要：本实验应用范德堡测试方法，通过对不同温度下霍尔电压的测量从而得出不同温度的霍尔系数。画出画出温度 80-300k 范围内样品的ln|R | 1 和 R H ? T 曲线。并通过曲线 T 来研究禁带宽度、载流子浓度、迁移率等特征。 Hall-effect experiment papers Liang Hongjun Department of Mechanical Engineering Vehicle (a) Class 100 102 123 Abstract: In this study, Vanderbilt testing methods, through the different temperatures the Hall voltage measurements to arrive at the Hall coefficient at different temperatures. Drawdraw a temperature range of 80-300k samples ln | R | 1 and RH - T curve. By the curve T to study the band gap, carrier concentration, mobility and other features.Keywords: Hall effect the Hall coefficient of the carrier concentration mobility 引言：1879 年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应” 。后来在 1985 年德 国克利青发现量子霍耳效应获得诺贝尔奖。1998 年普林斯顿大学的崔琦、斯坦福大学的 ，哥伦比亚大学的 因研究量子霍尔液体获得诺贝尔奖。在半导体材料中， 霍尔效应比在金属中大几个数量级， 引起人们对它的深入研究。 霍尔效应的研究在半导体理 论的发展中起了重要的推动作用， 直到现在， 霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实 验方法。根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件， 在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。 1. 1半导体的能带结构和载流子浓度没有人工掺杂的半导体称为本征半导体，本征半导体中的原子按照晶格有规则的排列， 产生周期性势场。在这一周期势场的作用下，电子的能级展宽成准连续的能带。束缚在原子 周围化学键上的电子能量较低， 它们所形成的能级构成价带； 脱离原子束缚后在晶体中自由 运动的电子能量较高，构成导带，导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。当绝对温度为0K 时，电子全被束缚在原子上，导带能级上没有电子，而价带中的能级全被电子填满；随着温 度升高，部分电子由于热运动脱离原子束缚，成为具有导带能量的电子，它在半导体中可以 自由运动，产生导电性能，这就是电子导电；而电子脱离原子束缚后，在原来所在的原子上 留下一个带正电荷的电子的缺位， 通常称为空穴， 它所占据的能级就是原来电子在价带中所 占据的能级。 因为邻近原子上的电子随时可以来填补这个缺位， 使这个缺位转移到相邻原子 上去，形成空穴的自由运动，产生空穴导电。半导体的导电性质就是由导带中带负电荷的电 子和价带中带正电荷的空穴的运动所形成的。 这两种粒子统称载流子。 本征半导体中的载流 子称为本征载流子，它主要是由于从外界吸收热量后，将电子从价带激发到导带，其结果是 导带中增加了一个电子而在价带出现了一个空穴，这一过程成为本征激发。所以，本征载流 子总是成对出现的，它们的浓度相同，本征载流子浓度仅取决于材料的性质及外界的温度。 为了改变半导体的性质， 常常进行人工掺杂。 不同的掺杂将会改变半导体中电子或空穴的浓度。若所掺杂质的价态大于基质的价态，在和基质原子键合时就会多余出电子，这种电 子很容易在外界能量的作用下脱离原子的束缚成为自由运动的电子， 所以它的能级处在禁带 中靠近导带底的位置， 这种杂质称为施主杂质。 施主杂质中的电子进入导带的过程称为电离 过程，离化后的施主杂质形成正电中心，它所放出的电子进入导带，使导带中的电子浓度远 大于价带中空穴的浓度， 因此， 掺施主杂质的半导体呈现电子导电的性质， 称为n 型半导体。 施主电离过程是施主能级上的电子跃迁到导带并在导带中形成电子的过程， 跃迁所需的能量 就是施主电离能；反之，若所掺杂质的价态小于基质的价态，这种杂质是受主杂质，它的能 级处在禁带中靠近价带顶的位置，受主杂质很容