附加题六1 给出的原子N 中的缺陷的数目（空位）与成比例，其中， H v .PDF

附加题六 1 给出的原子 N 中的缺陷的数目（空位）与 成比例，其中，△Hv 为该类缺陷形成能， k 为玻耳兹曼常数。 （除非被特别指出，我们假定A ＝1） 且： 因为nv ＝1，可得： 2 这个题目与第一题是同一类型。 需要知道： 要求出 nv ＝1 时的N 。 N ＝358 3 要解答这个问题首先必须把 n 3 3 /cm 转化为 n /N ，这很简单因为 Al 的摩尔体积为 10cm （N v v 22 ＝NA/Mol.Vol. ＝6.02 ×10 ）。相应地，可得： 4 需要知道： 给出： 以对数形式： 5 有： 两式相除可以约掉式中常数： 且： 6 假定 A 接近 1，有： 7 沿着111方向滑移表明是 BCC 体系，对应于{110}，111滑移。 因此： 最密集的面为{110}，可得： 8 根据 LN6 －15：N ＝2n-1 ，N 为每平方英寸 inch2 的晶粒数目，扩大 100 倍后 n ＝晶粒大小 的数量级。如果n ＝7 ： 6 4 5 N ＝2 ×10 晶粒/平方英寸＝6.4 ×10 晶粒/平方英寸 知道 N ，可以估算出平均晶粒直径： 1/2 -3 2 d 直径 ＝N ＝1.25×10 英寸＝ 3.12 ×10 mm ＝ 31.2μm 5 扩展形式后：如果有 64 ×10 晶粒（立方－在显微镜下显示为正方形）/ 平方英寸（N 晶粒），接着按线性排列，有 ＝800 晶粒/ 英寸（inch ）。每个晶粒大小为： 现在可以以米制单位列出晶粒的大小： 晶粒大小的数量级.n 晶粒/mm2 相近晶粒直径（μm ） 9 例如： （1）半导体中的掺杂物 影响导电性 （2 ）密集金属中的空位 解释固态扩散能力 （3 ）刃型位错 解释滑移；表现为可见的腐蚀坑以及 X －射线形貌 （4 ）晶界 在反射光中可见；由 X －射线衍射证实 （5 ）微沉淀物 X －射线透射、红外线投射中可见 10 给出的是： 11 在熔点： （28570 个格点中有一个是被吸收的空位） 在室温下： 20 （1.4×10 个格点中有一个空位） 体积的改变（如上所计算的）是因为在熔点产生的空位——在室温下没有明显的空位 -5 产生！！因此，改变的体积为： 3.5 ×10 △V ＝0.0035 ％ 12 硅 Si＝2.33g/cm3 21 3 15 3 （密度）铝 Al ：10 / m ＝10 /cm 13 在 FCC 体系（Al ）中，包含 12 个{111}110滑移体系，因此拉伸强度很大程度上由滑 移决定。控制滑移的位错移动性在单晶中很高，因为高度的晶体完整性以及滑移在表面上从 一边到另一边继续进行。在多晶 Al 中，位错的移动性变缓，因为相互的干扰（高密度位错）， 以及经常遭遇沉淀物，滑移变得迟缓。此外，滑移在晶界被吸收且继续从那里到不同的方向。 多晶物质的