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高纯二氧化锗中痕量杂质的ICP2MS 法测定
第 25 卷第 7 期 分析试验室 Vol . 25. No . 7
2006 年 7 月 Chinese Journal of Analysis Laboratory 2006 - 7
高纯二氧化锗中痕量杂质的 ICPMS 法测定
刘 红 , 赵春华 , 刘 英
(北京有色金属研究总院分析测试技术研究所 , 北京 100088)
摘 要 :建立了高纯二氧化锗中痕量杂质 Mg 、Al 、Ni 、Cu 、Zn 、In 、Pb 的 ICPMS
测定方法 。选择了仪器最佳工作条件 , 研究了锗基体对被测元素的干扰 , 方法
回收率为 94 %～114 % , RSD 为 11. 1 %～57 % 。
关键词 :高纯二氧化锗 ; ICPMS ; 痕量杂质
( )
中图分类号 :O657 . 63 文献标识码 :A 文章编号 2006 0706403
高纯锗是半导体工业的重要材料 。近年来 , 1 实验部分
高纯锗越来越多用于红外光学 , 由于 Ge 对红外光 1. 1 仪器与试剂
(
是透明的 , 因此人们用以制作红窗口、棱镜 、透镜 ELAN5000 电感耦合等离子体质谱仪 Perkin -
) (
等 。中国高新技术研究发展 863 计划 GeO 传能光 Sciex 公司 ; 混合标准溶液 含 Mg 、Al 、Ni 、Cu 、
2
Zn 、In 、Pb) 0 . 1 μ μ
纤的研制取得了突破性进展 , 对 GeO 的要求由原 gmL ; Rh 内标溶液 1. 0 gmL ;
2
来的“化学纯”、“分析纯”及“优级纯”向“高纯”、 HCl (亚沸蒸馏提纯 , 9 . 47 molL) ; HNO3 (亚沸蒸馏
)
“超高纯”及“超净高纯”方向发展 , 对高纯锗的质 提纯 ; 水为二次去离子水 。
量要求越来越高 。光导纤维的通讯容量与其纯度
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