垂直集成——延长摩尔定律的有效途径 vertical integration——an effective way to extend moore＇s law.pdfVIP

垂垂直直集粟成 延长摩尔定律的 有效途径 童志义 ，赵 璋 (中国电子科技集团公司第四十五研究所 ，北京 101601) 摘 要 ：主要概述 了 目前集成 电路 由两维的平面集成向 3维的立体集成转变过程 中的主流和热 点技术 ，包括后道封装制程 中实现裸 片堆叠、载体堆叠和封装体堆叠的TSV 三维封装 ，以及前道 晶圆制程 中将传统的晶体管二维平面结构向三维立体结构的多栅 晶体管过渡的创新技术。根据 全球半导体联盟打造 3D 集成 电路计划和 目前应对垂直集成技术的工艺设备现状 。展望 了半导 体垂直集成技术 实现量产的前荣 关键词 ：摩尔定律 ；垂直集成；3DTSV；3D 晶体管；多栅 晶体管 ；量产解决方案 中图分类号：TN405．97 文献标识码 ：A 文章编号：1004—4507(2012)01．0001．08 VerticalIntegration。_____·-______。anEffectiveW ayto ExtendM ooreSLaw TONG Zhiyi，ZHAO Zhang (The45ResearchInstituteofCETC ，Beijing101601，China) Abstract：The essentialsandhottechnologiesofthe presentIC changing into three—dimensional integrated IC from two—dimensionalplanarIC isdescribed in thispaper，including theTSV 3D packagingofdiestacking，carrierstackandpackageonpackage，aswellastheinnovativetechnology thatemerged duringthetransitionfrom front·e·ndwaferprocessingthetraditionaltwo--dimensional transistorstructuretoathree—dimensionalstrucutremulti-gatetransistor．Accordingtotheplantobuild 3D intergatedcircuitsofGlobalSemiconductorAllianc (GSA)andthestautsresponsetothevertical intergation ofprocessequipment，Outlook theprospectsofthe semiconductorverticalintergation processingmassproduction． Keywords：Moore’SLaw；VerticalnItergation；3DTSV；3D Transistor；Multi-GateTransistor；Volume Prod1lctionSolutions． 摩尔定律一直是驱动半导体发展的金科玉 律，半个世纪以来，半导体的发展始终徘徊在这条 收稿 日期 ：2011-11-20 趋势与展望 电 子 工 业 专 用 设 备 - 定律左右 。不过，摩尔定律始终是个有着物理极限 贴装各类片式元器件 ，这又被称为埋置型 3D结 的构想，而随着技术不断前行，这个极限已经在人 构；第二种形式是使用硅集成 电路圆片作为基板， 们触手可及 的不远处 。 在其上进行多层布线，在最上层再贴装片式元件， 当大部份芯片厂商都感觉到遵循摩尔定律之 称之为有源基板型 3