磁控溅射制备免退火钴酸锂正极薄膜的研究 preparation of licoo2 film positive electrode without post-annealing by magnetron sputtering and its application.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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磁控溅射制备免退火钴酸锂正极薄膜的研究 preparation of licoo2 film positive electrode without post-annealing by magnetron sputtering and its application.pdf

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磁控溅射制备免退火钴酸锂正极薄膜的研究 preparation of licoo2 film positive electrode without post-annealing by magnetron sputtering and its application

磁控溅射制备免退火钴酸锂正极薄膜的研究杨同欢”．刘兴江-，2 (1．天津大学化工学院，天津300072； 2．中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源重点实验室，天津300384) 摘要：采用射频磁控溅射法制备钴酸锂正极薄膜。通过对溅射功率的研究．制备出不需要进行退火处理仍具有 60 形貌进行了研究，并分析了其对钴酸锂薄膜正极性能的影响。结果表明不同功率制备的钴酸锂薄膜具有不同的结晶取向和结晶度，其对正极薄膜的性能有具有决定性的影响，适合的功率下制备的钴酸锂薄膜在不退火处理的情况下仍具有较高的容量和较好的循环性能。同时研究了采用磁控溅射的铝薄膜作为集流体，代替铂或金等贵金属薄膜集流体，大幅减低了薄膜电池正极的制备成本。关键词：全固态薄膜电池；钴酸锂薄膜；磁控溅射；铝集流体薄膜 912 002—087 中图分类号：TM 文献标识码：A 文章编号：1 X(2013)03—0358—06 of film electrodewithout LiC002 Preparation positive post—annealingby magnetronandits sputteringapplication YANG Tong—huanl，-．LIUXing-jian912 ofChemical and rJ．School 300072，China； EngineeringTechnology,TianjinUniversity,Tianjin 2．Scienceand onPowerSources ofPower Technology Laboratory,Tianji．InstituteSources，lianjm300384，China) Abstract：Thethinfilmelectrodeswere of LiC002 preparedbyrad{o—frequency(RF)magnetronsput【ering．Bystudy film without a of LiC002 magnetronsputteringpower，a electrode，preparedpost-annealing，hasdischargecapacity 60 structureand of filmswere XRD andSEM LiC002 txAh／(cm2．“m)。The morphology analyzedby patterns images． Theresultsof showthatthe orientationand of filmsis analysis preferred crystallized polycrystallineLiC002 degree