大功率led用封装基板研究进展 development of package substrates for high power led.pdfVIP

第ll卷，第4期 电子与封装 总第96期 Vbl．11．No．4 2011年4月 ELECTROMCSPACKAGn、IG 蟊．甍，≤；：趣，：交：|：每j翥建： 大功率LED用封装基板研究进展木 欧阳雪琼1，王双喜1，郑琼娜1，张红霞2 (1．佛山市华南精细陶瓷技术研究开发中心，广东佛山528000， 2．佛山市地天泰新材料技术有限公司，广东佛山528000) 摘要：LED被称为第四代照明光源及绿色光源，近几年来该产业发展迅猛。由于LED结温的高 低直接影响到LED的出光效率、器件寿命和可靠性等，因此散热问题已经成为大功率LED产业发 展的瓶颈。文章阐述了大功率LED基板的封装结构和散热封装技术的发展状况，从基板的结构特 点、导热性能及封装应用等方面分别介绍了金属芯印刷电路基板、覆铜陶瓷基板、低温共烧陶瓷一 金属基板和铝碳化硅金属复合材料基板等大功率LED用封装基板，并探讨了大功率LED基板的发 展趋势。基于各种基板综合性能的比较，金属基复合基板以其优良的性能逐渐显示出很强的竞争 力，是未来功率型LED封装发展的方向。 关键词：大功率LED；散热；封装基板；封装结构 中图分类号：TN312+．8 文献标识码：A LED Of Substratesf．or Power DeVelopmentPackage High oInf：ANG X眦．qi∞91，W^NGShu锄g-)【i1，Zm烈GQion争吼1，ZHANGH伽哥xia2 (1．鼢厅册勋“珐∞砌口胁ffm纪矿砌P＆嘲口蛔，，纠砌528000，a加口； 2．砌加刀Ⅳ驯讹疵，肠，‰^，lDfDgyCo．工7D．，砌厅硎528000，C：IlfJ馏) Abstract：LEDiscalledthefounh hasbeenina generation Iightsource，which lighting趾dgreen rapid li触ilne粕d e硒ci即c)，，deVice a丘＆倒by de、，elopm∞t．L迪出t feliabil姆ared橛ny t11ej明clionte删搬an职of ofLEDs indu嘶al stat吣of LEDs．n雌，hcatdissipationh私be肌abo仕leneckofthe de、，elopment．DeVeloping structI鹏锄dheat package kin凼 package dissipationtecllIlique of metalcore circuit cerarIlic packagesubs仃ates，includingpfintedboard，c哪Ipler-cladsubs仃ate，low也mpem． tIIre cofiredcer锄iconmetalsubstrate锄dAlSiCsubstratewere ins仃uctIlmI