协同机制在外来原子与石墨烯和金属基底间插层的作用-纳米试验室.PDF

协同机制在外来原子与石墨烯和金属基底间插层的作用 石墨烯是一种由碳原子组成的单层二维蜂窝状结构，具有诸多优异的力学、电学和光学 性质。石墨烯可以与众多的外来原子或者分子发生相互作用，从而调制其本征性质。利用 这一原理，可以制作基于石墨烯的异质结构，为设计基于石墨烯的电子器件提供了新的方 法。其中，通过原子和分子插层来实现基底与外延石墨烯之间的集成是重要的新方法之一， 理解这一过程对于构建石墨烯异质结构具有重要意义。之前，中国科学院物理研究所/北京 凝聚态物理国家实验室（筹）纳米实验室高鸿钧研究员已经在该领域开展了系列研究，在 实验上成功制备了大面积高质量石墨烯，并且实现了规整的硅原子插层结构[Applied Physics Letter 99, 163107 (2011); Applied Physics Letter 100, 093101 (2012)] 。 最近高鸿钧研究员发展了之前的工作，结合原子级别表征手段以及密度泛函理论研究了 外来原子在石墨烯与基底间插层过程的重要步骤。实验选择Si 在石墨烯与与Ru(0001) 的插 层作为测试体系，其优点有：（1）Si 材料在现有微电子技术中具有重要地位，发展石墨 烯-硅异质结构/器件能够帮助实现与现有技术的无缝结合；（2 ）Ru(0001)基底上外延生长 石墨烯在技术上发展成熟，容易获得大面积高质量石墨烯。用它作为模型体系来研究插层 过程，结果比较可靠。工作的一个重要结果是：外来原子、石墨烯、以及基底在插层过程 中具有相互协同的效果，换言之，要理解插层过程必须将三者作为整体考虑。并且这种协 同效果在其它外来原子（例如Ni 、Pd 、Pt ）和基底（例如Ir(111) 、SiC(0001) ）的组合中同 样被发现，证明该种协同效果具有广泛的适用性，因此对于制备大面积石墨烯异质材料层 器件具有重要意义。结合扫描隧道显微镜实验以及密度泛函理论计算模拟，插层过程可总 结为四个关键步骤：打开缺陷、外来原子经由缺陷向界面扩散、缺陷的修复、以及外来原 子层的生长。以上四个步骤在插层体系中被广泛发现，所以该机制很可能适用于一系列体 系。 实验上通过在 1300K 下将 Ru(0001)单晶表面暴露于乙烯中外延生长获得单层石墨烯 (SLG) ，之后在室温下通过对一块Si 薄片施加电流使其加热升华的方法，使Si 原子沉积到 单层石墨烯上，随后样品在不同的温度下进行退火，以启动插层过程。结果显示，Si 原子 成功插层到界面处。图1a 展示了一个在单层石墨烯（SLG）和Ru 之间插入了Si 单层的平 整光滑的SLG/Si/Ru 表面。图 1c 给出的高分辨图像进一步表明了在Si 插层后单层石墨烯 并没有被破坏，这一结果可以通过对不同区域 STM 表征分析和拉曼光谱来进一步证实。 图1d 总结了插层机制的几个关键步骤：协同产生缺陷（stage II ），外来原子通过石墨烯向 Ru 表面扩散(stage III)，石墨烯晶格的自修复(stage IV)，外来原子形成原子层(stage V) 。 接下来还考虑了退火对插层的影响。图2 展示了沉积0.05 ML 的Si 到SLG/Ru 表面典型 的STM 图像。结果显示退火后在石墨烯表面上Si 团簇和石墨烯缺陷同时存在。图中大的 白色突起是Si 原子团簇。样品表面随机分布的小的点状白色突起则是石墨烯的碳原子空位 缺陷（如图2a 中蓝色实线箭头所指示）。第一性原理计算缺陷形成能的结果显示缺陷形成 能在考虑了Si 原子、石墨烯、以及基底的相互作用后，从8.09 eV 降为0.23 eV，使得在实 验温度下产生缺陷成为可能。除此以外，插层的Si 原子层的聚集和演变（图1d 中stages V 到 VI 的过程）表明，Si 原子更倾向于在界面扩散而不是形成合金。基本结果如图4 所示。 相关结果发表于 Journal of the American Chemical Society 137,7099 (2015) 。 图1. SLG/Si/Ru 的STM 图像和插层过程示意图。（a ）Si 插层的三维图 像。（b ）沿图（a ）中红绿线的高度变化曲线。（c ）图（a ）矩形区域 中Si 插层上方单层石墨烯晶格的原子分辨图像。标度尺为 1 nm。（d ） 插层过程示意图。黄箭头和绿箭头分别代表Si 和C 原子的扩散路径。 图2. Si 导致的缺陷形成。（a ）室温下预先沉积0.05 ML 的Si 到SLG/Ru 上的STM 图像，随后在400