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光电信息转换器件 1、光电发射效应器件 光电倍增管 2、光电导效应器件 光敏电阻、光电导摄像管 3、光生伏特效应器件 光电池、光敏二极管、光敏三极管 4、热释电效应器件 热释电探测器、热释电摄像管 光电倍增管 (1)光电倍增管利用外光电效应制成 (2)结构 光电倍增管 (3) 特点 灵敏度高，适宜弱光信号； 响应时间极短； 频率特性较好，频率可达106赫或更高； (4) 缺点 需高压直流电源、价贵体积大、经不起机械冲击等。 光敏电阻 (1) 结构 光敏电阻 (2) 优点 光谱响应相当宽; 光敏电阻的灵敏域可在紫外光区，可见光区，也可在红外区和远红外区。 所测的光强范围宽; 使用方便，成本低，稳定性高，寿命长; 灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。 (3) 不足 在强光照射下线性较差，频率特性也较差。 光电导摄像管 (1)基本原理 由半导体能带理论可知，当图像的光子大量入射到半导体光电导材料上时，使大量的电子吸收能量进入导带，从而使其导电性能改善，电导率增加或电阻下降，形成了电子图像信号。 光电导摄像管 光电池 （1）原理与结构 光电池 （2）特性： 波长范围: 硅光电池为400 — 1100 nm，峰值波长在 850 nm 附近； 灵敏度：硅光电池为 6-8 毫安／流明； 可靠性好，寿命也较长； 体积小。 光敏二极管 (1) 结构 光敏二极管 (2) 特性 体积小，稳定性好； 灵敏度高，响应速度快； 易于获得定向性； 光谱响应在可见和红外区。 光敏二极管 雪崩光敏二极管 频率响应很高，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。适用于光纤通信、激光测距及其他微弱光的探测等。 光敏二极管阵列 将光敏二极管以线列或面阵形式集合在一起，用来同时探测被测物体各部位提供的不同光信息，并将这些信息转换为电信号的器件。 象限探测器 象限探测器有二象限和四象限探测器，又分光电二极管象限探测器和硅光电池象限探测器。象限探测器是在同一块芯片上制成两或四个探测器，中间有沟道将它们隔开，因而这两或四个探测器有完全相同性能参数。当被测体位置发生变化时，来自目标的辐射量使象限间产生差异，这种差异会引起象限间信号输出变化，从而确定目标方位，同时可起制导、跟踪、搜索、定位等作用。 光敏三极管 结构 光敏三极管 灵敏度比光敏二极管高，是光敏二极管的数十倍，故输出电流要比光敏二极管大得多，一般为毫安级。但其它特性不如光敏二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。频率特性和温度特性也变差，故光敏三极管多用作光电开关或光电逻辑元件。 热释电探测器 结构 热释电探测器 光谱范围：一般热释电在0.2～20μm； 用途：主要用于防盗报警和安全报警装置、 自动门、自动照明装置、火灾报警 等一些自动控制系统中。 特点：（与测辐射计、温差热电堆等比较） 频率特性好，室温下工作，无需致冷， 体积小，重量轻，坚固。 热释电摄像管 热释电摄像管 热释电也可制成探测器阵列，已有320?240像敏元的热释电热成象系统上市，主要用于红外摄像机。 碲镉汞（CMT）器件 可以单元使用，也可以线阵或面阵使用，具有极高的灵敏度，已成功的应用在我国风云一号和风云二号卫星上。 但碲镉汞（CMT）器件使用时一定要制冷，一般采用半导体制冷。 1.2.3 光电信息转换集成器件 1、位置传感器（PSD） 2、电荷耦合器（CCD） 1、位置传感器（PSD） PSD 是一种对其感光面上入射光点位置敏感的光电器件。即当入射光点落在器件感光面的不同位置时，PSD 将对应输出不同的电信号。通过对此输出电信号的处理，即可确定入射光点在 PSD 的位置。入射光点的强度和尺寸大小对 PSD 的位置输出信号均无关。PSD 的位置输出只与入射光点的“重心”位置有关。 1、位置传感器（PSD） 结构 2、电荷耦合器（CCD） 随着集成电路技术的发展,二十年前贝尔实验室的W.S.Doyle和G.Smith发明了电荷耦合器件(Chanrge-Coupled-Devices),缩写或简称CCD。由于它具有结构简单，基础度高，制造工序少，功耗低，信噪比好等优点，因而日益受到人们的重视，它的用途广泛，包括工业检测，数码相机，电视摄像等。 2、电荷耦合器（CCD） 组成： MOS 光敏元 移位寄存器 电荷转移栅 2、电荷耦合器（CCD） 分类：线阵，面阵（黑白、彩色） CMOS