晶体管非线性热分析.PPTVIP

例题 3 晶体管非线性热分析 问题描述: 使用例题2中建立的晶体管模型，进行非线性热分析。 在这里，冷却叶片失效，所有部件依靠与热空气进行自由对流来冷却。由于温度更高，需要考虑随温度变化的材料特性和载荷。 设计需要: 晶体管温度不能超过145C。在这个温度下会出现 “thermal runaway”的失效方式，从而造成晶体管永久破坏。因此当这种情况出现时一定要及时发现。 基本说明 读入例题2中的晶体管模型。 输入晶体管材料的随温度变化材料特性。 输入随温度变化的对流换热系数。 指定分析设置，载荷步控制并施加载荷: 高功率操作时 (20 W) 热生成载荷 当外界空气为60C时的随温度变化对流边界条件。 模拟附近高温体的辐射施加的热流载荷 (2400 W/m2) 求解。 结果后处理。 例题 3 - 前处理 详细步骤: 1. 指定工作文件名为“nonlin”并读入 例题 2中建立的模型 “transistor.db” 。 2. 进入前处理器并生成温度表格50, 100, 150, and 200 C (MPTGEN)。 例题 3 - 前处理 (续) 例题 3 - 求解 6. 进入求解器并指定Full N-R 选项。 7. 指定均匀初始温度为100C (TUNIF)。 8. 施加高功率(20 W) 热生成载荷到晶体管面上 (BFA): 9. 在图上的线上施加热流2400 W/m2 (SFL)。 10. 将对流载荷直接施加到平面效果单元上。介质温度保持空白并在换热系数指定 (-4) (SFE)。 11. 附加节点温度指定为60C (D)。 例题 3 - 求解 (续) 13. 求解控制打开 (SOLCONTROL)。 14. 所有时间步所有实体的求解项写入结果文件 (OUTRES)。 15. 指定载荷步1的结束时间为 (TIME)并让自动时间步选为 “Program Chosen” (AUTOTS)。指定子步初始数目为10 (NSUB) ，载荷阶跃施加(KBC)。 16. 将热流速率收敛准则收紧为公差0.0001。 17. 标题改为Transistor Cooled by Free Convection” (/TITLE)。求解该载荷步 (SOLVE)。 图形窗口要显示求解情况 (GST) 。 例题 3 - 后处理 18. 求解结束后，进入通用后处理器查看Results Summary 列表是对哪一个序列进行后处理 (SET)。注意求解的数目和间距。在分析过程中ANSYS是否对时间步作了调整? 19. 读入最后在结果序列并只选择体单元和节点 (ESEL)。绘制节点温度解 (PLNSOL)。我们达到设计要求了吗? 我们与要求相差多少? 例题 3 - 后处理(续) 20. 选择平面效果单元和节点。定义下列单元表选项 (ETABLE): HFILM - 面上对流换热系数 TBULK - 介质温度 TAVG - 面平均温度 参照单元手册的表4.151-2和4.151-3关于这些输出数据的信息。 21. 列出所有单元表项(PRETAB)。TBULK容易检查。由于模型中温度变化不大，TAVG 和HFILM变化较小。对照换热系数曲线检查个别单元的数值。 (要使用面温度的平均数值和TBULK)。 例题 3 - 后处理 (续) 22. 选择实体单元和节点。读入其它结果序列，估计总载荷超过设计限制的百分比。 (注: 在下一章你会学到更好的方法。) 例题 3 - 结论 例题 3中, 我们用晶体管的过热演示了非线性热分析技术。特别的，我们练习了如何. . . 输入随温度变化的材料特性和边界条件 设置非线性分析选项和载荷步控制，保证求解收敛迅速并准确 结果数据在每步求解后写出 (子步) 非线性结果后处理 *Heat Transfer - Release 5.5 (001173) Transistor Aluminum heat sink Copper isolator plane of symmetry 本例的ANSYS命令流文件见附录 C 50 100 150 200 40 50 60 70 Temperature (C) Thermal Conductivity (W/m/C) Transistor Thermal Conductivity Data 3. 输入随温度变化的热传导系数材料特性 (材料号为 1)。对曲线插值并输入材料特性表格 (MPDATA)。绘图检验(MPPLOT). 4. 定义新的温度表格温度为 50, 75, 100, 150, 175和200 (MPTEMP)。 5. 对曲线插值并输入随温度变化的对流换热系数，新材料号为4 (MPDATA)。绘图检验(MPPLOT)。 50 100 150 200 10