电力电子与现代控制(电力电子器件)第二部分.pptVIP

* * * * 电力电子与现代控制Power Electronics and Modern Control 中国科学院研究生院 现代电力电子器件 2、功率晶体管 双极结型晶体管 双极结型晶体管 (Bipolar Junction Transistor简称BJT): 可简称为晶体管。晶体管由三层半导体材料构成，可以有两种结构方式：N层P层N层结构称为NPN型晶体管，P层N层P层结构称 为PNP型晶体管。晶体管是三端半导体器件，三个端子分别是发射极(Emitter简称E)、基极(Base简称B)和集电极(Collector简称C)。BE间PN结称为发射结；BC间PN结称为集电结。 晶体管正向导通时其发射极电流由流过发射结的少数载流子电子和空穴扩散电流组成，双极结型由此得名。 两种晶体管的简化结构和符号 晶体管工作原理 以NPN型晶体管为例，晶体管结构上等效为两个二极管共用一个阳极。晶体管的工作原理与PN结原理密不可分，我们先来看一个二极管导通时的情况。 当二极管施加正向电压时，阳极电流IA 或阴极电流IK由空穴扩散电流和电子扩散电流构成。假设n型采用重度掺杂，p型采用轻度掺杂，由于n区注入p区的电子数量远大于p区注入n区的空穴数量。越过PN结的电子电流幅值远大于越过PN结的空穴电流。 假设p区长度超过越过PN结注入电子扩散长度，此时设置两个阳极A1和A2，由于A2距离PN结很远，只有很少的电子到达A2端子，因此仅有少部分电流流过A2端，大部分电流由A1端流过。 晶体管工作原理 在A2极板和薄p区之间加入n型半导体区就形成了NPN晶体管结构，原来的PN结变成了发射结，新的n区与p区之间形成了集电结。当发射结施加正向电压，集电结电压为零时，集电结出现空间电荷区。该空间电荷区电场方向是由C指向B，此时发射结正偏扩散过来的大部分电子可以通过该空间电荷区，形成集电极电流IC。 此时如大大缩短p区长度，使其远小于越过PN结注入电子扩散长度，此时A2极板面积远大于A1极板，大部分电子在被复合之前已到达A2极板，因此大部分扩散电流直接流入A2端，仅有少部分电子和空穴电流流过A1端。 晶体管工作原理 发射极电流IE幅值由VBE控制，关系需满足PN结电压电流方程： 准饱和区 当IB大于零，VCE等于VBE时，称晶体管工作在准饱和区。 基极电流IB和集电极电流IC之和等于发射极电流： 集电极电流IC和基极电流IB之比定义为共射极放大倍数 ： 集电极电流IC和发射极电流IE之比定义为共基极放大倍数 ： 共射极放大倍数主要与晶体管结构有关，也会随着晶体管工况变化，小功率器件典型值在100左右，大功率在10到100之间。 共基极放大倍数小于1。 晶体管工作原理 线性放大区 当IB大于零，VCE大于VBE时，称晶体管工作在线性放大区。 与准饱和区相比，线性放大区的集电结电压反偏，集电结的空间电荷区进一步扩大。该空间电荷区电场方向仍然是由C指向B，此时发射结正偏扩散过来的大部分电子可以通过该空间电荷区，形成集电极电流IC。 忽略发射结反向漏电流的情况下，在准饱和区内的电流关系在线性放大区内仍然适用。发射极电流IE仅由VBE控制，与VCB无关。 在考虑空间电荷区宽度随VCB变化的情况下，p区的宽度会相应变化，结果会导致VCB增大时， 轻微增加，称为厄利效应(early effect)，此时集电极电流IC和基极电流IB会有轻微变化。 晶体管工作原理 饱和区 当IB大于零，VCE小于VBE时，称晶体管工作在饱和区。 在饱和区，发射结和集电结都正偏，此时两个PN结的电子扩散电流方向相反。在发射结电压大于集电结电压时，发射结的电流大于集电结的电流。发射结电流和集电结电流都流过E和C端，因此合成电流为二者之差。 考虑发射结和集电结双向注入效应后的晶体管发射极电流为： 同时, 下降。 晶体管工作原理 截止区 当VBE≤0 ， VCE0时，称晶体管工作在截止区。 在截止区，发射结和集电结都反偏，晶体管集射之间处于高阻状态，仅有微小漏电流流过。 晶体管的静态特性和特点 功率晶体管的特点： 是电流驱动器件，控制基极电流就可控制功率晶体管的开通和关断； 单个功率晶体管的放大倍数在10左右，达林顿型可达上千； 开关速度一般； 饱和时压降较低； 有二次击穿现象； 能控制较大的电流和较高的电压； 功率晶体管由于结构所限其耐压难于超过1500V，现今商品化的功率晶体管的额定电压、电流大都不超过1200V、800A; 已经淘汰。 输入特性：与二极管PN结正向伏安特性曲线类似； 输出特性：分成四个区： 1、截止区: 当VBE≤0，外特性为OJ，工作点为B，IC=ICEO=（1+β）ICBO≈0，晶体管截止，处于断态。 2、线性