成电路复习资料.doc

集成电路复习资料（大国际二班出品） 名词解释： 微电子学：微电子学（Microelectronics）是电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科。它以实现电路和系统的集成为目的的。 摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 特征尺寸：在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。 N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 IC（Integrated Circuit）：集成电路，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。 BJT（Bipolar Junction Transistor—BJT） More than Moore：超越摩尔定律也称超摩尔，在无线通信等应用的拉动下，微电子技术不仅按摩尔定律指引的按比例缩小方向发展，逐渐形成了“超摩尔定律”的发展趋势。特点一：采用非CMOS的等比例缩小方法，将集成电感、电容等占据大量PCB空间的无源元件集成在封装内，甚至芯片上，使电子系统进一步小型化，以达到提高性能的目的。特点二：按需要向电子系统集成“多样化”的非数字功能，形成具有感知、通信、处理、制动等功能的微系统。 More Moore：更摩尔，摩尔定律的进一步发展。 DRAM（Dynamic Random Access Memory）：动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据） SRAM（Static RAM）：静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.。 MPU：MPU有两种意思，微处理器和内存保护单元。（1）微处理器(Microprocessor Unit)微机中的中央处理器（CPU）称为微处理器（MPU），是构成微机的核心部件，也可以说是微机的心脏。它起到控制整个微型计算机工作的作用，产生控制信号对相应的部件进行控制，并执行相应的操作。（2）内存保护单元(ARM体系方面）(MPU,Memory Protection Unit)，MPU中一个域就是一些属性值及其对应的一片内存。这些属性包括：起始地址、长度、读写权限以及缓存等。ARM940具有不同的域来控制指令内存和数据内存。内核可以定义8对区域，分别控制8个指令和数据内存区域。 SOI（Silicon-On-Insulator）：绝缘衬底上的硅，是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。 SOC（System on Chip）：简称Soc，也即片上系统。将微处理器、模拟IP核、数字IP核和存储器(或片外存储控制接口)集成在单一芯片上,它通常是客户定制的,或是面向特定用途的标准产品。 ESD（Electro-Static discharge）：静电释放，ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。 LOCOS（Local Oxidation of Silicon）：即“硅的局部氧化”技术。以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。 STI（shallow trench isolation）：浅沟道隔离，能实现高密度的隔离，适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。 EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）：可擦除可编程只读寄存器，一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。EPROM只能用强紫外线照射来擦除。 E2PROM?(Electrically Erasable Programmable?Read-Only Memory)：带电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。 VLSI(Very Large Scale Integration)：超大规模集成电路，指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。 ULSI（Ultra Large Scal